机构

• 上海技术物理研究所 [8]
• 微电子研究所 [6]
• 半导体研究所 [2]
• 深海科学与工程研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [17]

内容类型

• 学位论文 [11]
• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2024 [1]
• 2016 [1]
• 2015 [1]
• 2010 [2]
• 2008 [3]
• 2007 [3]
• 更多

学科主题

• 红外探测材料与器件 [6]
• 红外基础研究 [2]
• 半导体器件 [1]
• 半导体材料 [1]
• 微电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 基于GaN器件的宽输入LLC谐振变换器研究 学位论文  OAI收割 中国科学院深海科学与工程研究所: 中国科学院大学, 2024 作者:  徐子硕   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2024/06/13 GaN器件  LLC谐振变换器  宽输入电压范围  软开关   AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 赵勇兵 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/06/01 AlGaN/GaN HFET  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压   GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 陶东言 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2015/05/29 稀磁半导体  GaN  GaSb  表面钝化  肖特基器件   平面型GaN基紫外探测器的制备与性能研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  包西昌   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/09/11 平面型gan基紫外探测器  器件制备  离子注入  电容特性  负微分电容   氮化镓基肖特基光电器件的研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  储开慧   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/09/11 Gan基肖特基器件  器件制备  电容特性  真空紫外   GaN/AlGaN紫外探测器的制备与光电特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  陈亮   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/08/22 Gan/algan  Icp刻蚀  器件制备  量子效率   AlGaN/GaN HEMTs器件布局对器件性能影响分析 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2008, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 4，1769-1771,1775 作者:  魏珂;  刘果果;  郑英奎;  刘新宇;  和致经   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/27 Algan/gan Hemt  器件布局  寄生参数  空气桥   凹栅槽AlGaN／GaN HEMTs器件退火处理效应 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 12, 页码: 5，2326-2330 作者:  刘果果;  黄俊;  魏珂;  刘新宇;  和致经   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/05/27 Gan  干法刻蚀  栅漏电 退火  N空位  半导体器件   氮化镓基紫外探测器光电特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2007 作者:  陈俊   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/08/14 Algan/gan异质结构  欧姆接触  器件制备  极化效应  Schottky   InGaN/GaN多量子阱发光二极管的功能特性与优化研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2007 作者:  夏长生   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/08/14 Ingan/gan多量子阱发光二极管  器件模拟  Ingan量子点  发光效率  量子点尺寸和密度  应变  极化势  光学特性  量子点形状  发光机理