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	铝酸锂晶体生长及其上宽禁带半导体薄膜制备研究学位论文 OAI收割博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2007 作者: 邹军收藏 \| 浏览/下载：34/0 \| 提交时间：2016/11/28 LiAlO2晶体 ZnO薄膜非极性GaN薄膜脉冲激光淀积法 MOCVD
	采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善（0001）GaN表面形貌期刊论文 OAI收割半导体学报, 2007, 卷号: 028 作者: 钟飞; 邱凯; 李新化; 尹志军; 姬长建 \| 收藏 \| 浏览/下载：26/0 \| 提交时间：2020/11/25 调制中断表面形貌 GaN薄膜
	气相传输平衡技术制备LiGaO2薄膜期刊论文 OAI收割光学学报, 2006, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1424, 1428 张俊刚; 夏长泰; 吴锋; 裴广庆; 李抒智; 徐军; 周圣明; 邓群; 徐悟生; 史宏声收藏 \| 浏览/下载：956/185 \| 提交时间：2009/09/24 薄膜光学复合衬底 GaN外延膜气相传输平衡技术 β-Ga2O3单晶 LiGaO2薄膜色心
	MOCVD技术的应用学位论文 OAI收割博士, 北京: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 1999 孙一军收藏 \| 浏览/下载：65/0 \| 提交时间：2012/03/06 薄膜 2> 超细粉纳米级超细粉 GaN TiO< 化学气相沉积
	分子束外延生长GaN薄膜中的一种早期位错结构期刊论文 OAI收割物理学报, 1998, 期号: 11, 页码: 99-102 王绍青,刘全朴,叶恒强收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2012/04/12 外延生长:6883 GaN薄膜:3266 分子束外延:3157 原子像:2762 晶体缺陷:2559 高分辨率电子显微镜:2280 位错结构:2195 缺陷结构:1988 刃型:1409 电子显微术:1354
	六角GaN薄膜中的晶体缺陷结构研究期刊论文 OAI收割电子显微学报, 1998, 期号: 5, 页码: 85-86 王绍青,刘全朴,王元明收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2012/04/12 晶体缺陷:6491 GaN薄膜:5257 分子束外延:2966 原子像:2587 高分辨:2548 位错结构:1896 电子显微镜:1364 刃型:1099 外延生长:895 缺陷结构:872