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Molecular beam epitaxy growth of gaas on an offcut ge substrate 期刊论文  iSwitch采集
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 6
作者:  He Ji-Fang;  Niu Zhi-Chuan;  Chang Xiu-Ying;  Ni Hai-Qiao;  Zhu Yan
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Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文  OAI收割
chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2011, 2011, 卷号: 20, 20, 期号: 1, 页码: article no.18102, Article no.18102
作者:  He JF;  Niu ZC;  Chang XY;  Ni HQ;  Zhu Y
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