机构

• 半导体研究所 [21]
• 物理研究所 [4]
• 西安光学精密机械研究... [3]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [2]

采集方式

• OAI收割 [22]
• iSwitch采集 [8]

内容类型

• 期刊论文 [25]
• 专利 [3]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2014 [1]
• 2013 [2]
• 2011 [3]
• 2010 [2]
• 2003 [5]
• 2002 [3]
• 更多

学科主题

• 半导体物理 [10]
• 半导体材料 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共30条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Evaluation of stacking faults and associated partial dislocations in AlSb/GaAs (001) interface by aberration-corrected high-resolution transmission electron microscopy 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2014, 卷号: 4, 期号: 11 Wen, C; Ge, BH; Cui, YX; Li, FH; Zhu, J; Yu, R; Cheng, ZY 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/04/14 Surface Passivation and Interface Properties of Bulk GaAs and Epitaxial-GaAs/Ge Using Atomic Layer Deposited TiAlO Alloy Dielectric 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2013, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 949-957 作者:  Dong, JR(董建荣) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/01/15 IIII-V surface passivation  atomic layer deposition  hysteresis voltage  TiAlO alloy dielectric  epi-GaAs/Ge  effective dielectric constant  elemental out-diffusion  GaAs MOS   Interface-induced Topological Insulator Transition in GaAs/Ge/GaAs Quantum Wells 期刊论文  OAI收割 physical review letters, Physical Review Letters, 2013, 2013, 卷号: 111, 111, 期号: 15, 页码: 6402, 6402 作者:  Dong Zhang, Wenkai Lou, Maosheng Miao, Shou-cheng Zhang, Kai Chang   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2014/03/26 Role of AlxGa1-xAs buffer layer in heterogeneous integration of GaAs/Ge 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 6 作者:  Dong, JR (董建荣);  Lu, SL (陆书龙) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/08/24 Molecular beam epitaxy growth of gaas on an offcut ge substrate 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 6 作者:  He Ji-Fang;  Niu Zhi-Chuan;  Chang Xiu-Ying;  Ni Hai-Qiao;  Zhu Yan 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Anti-phase domain  Gaas/ge interface   Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2011, 2011, 卷号: 20, 20, 期号: 1, 页码: article no.18102, Article no.18102 作者:  He JF;  Niu ZC;  Chang XY;  Ni HQ;  Zhu Y   |  收藏  |  浏览/下载：105/7  |  提交时间：2011/07/05 molecular beam epitaxy  anti-phase domain  GaAs/Ge interface  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  JUNCTION SOLAR-CELLS  DOMAIN-FREE GROWTH  TEMPERATURE  QUALITY  FUTURE  Molecular Beam Epitaxy  Anti-phase Domain  Gaas/ge Interface  Chemical Vapor-deposition  Junction Solar-cells  Domain-free Growth  Temperature  Quality  Future   Measurement of gan/ge(001) heterojunction valence band offset by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 4 作者:  Guo Yan;  Liu Xiang-Lin;  Song Hua-Ping;  Yang An-Li;  Zheng Gao-Lin 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Measurement of GaN/Ge(001) Heterojunction Valence Band Offset by X-Ray Photoelectron Spectroscopy 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: art. no. 067302 Guo Y (Guo Yan); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Song HP (Song Hua-Ping); Yang AL (Yang An-Li); Zheng GL (Zheng Gao-Lin); Wei HY (Wei Hong-Yuan); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：204/46  |  提交时间：2010/07/05 GE  GAAS  GROWTH   Selectively excited photoluminescence of gaas1-xnx single quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865 作者:  Luo, XD 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Study of optical properties in gaas1-xsbx/gaas single quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1761-1765 作者:  Luo, XD;  Bian, LF;  Xu, ZY;  Luo, HL;  Wang, YQ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Gaassb/gaas  Selectively-excited  Type ii transition