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Evaluation of stacking faults and associated partial dislocations in AlSb/GaAs (001) interface by aberration-corrected high-resolution transmission electron microscopy
期刊论文
OAI收割
AIP ADVANCES, 2014, 卷号: 4, 期号: 11
Wen, C
;
Ge, BH
;
Cui, YX
;
Li, FH
;
Zhu, J
;
Yu, R
;
Cheng, ZY
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提交时间:2015/04/14
Surface Passivation and Interface Properties of Bulk GaAs and Epitaxial-GaAs/Ge Using Atomic Layer Deposited TiAlO Alloy Dielectric
期刊论文
OAI收割
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2013, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 949-957
作者:
Dong, JR(董建荣)
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提交时间:2014/01/15
IIII-V surface passivation
atomic layer deposition
hysteresis voltage
TiAlO alloy dielectric
epi-GaAs/Ge
effective dielectric constant
elemental out-diffusion
GaAs MOS
Interface-induced Topological Insulator Transition in GaAs/Ge/GaAs Quantum Wells
期刊论文
OAI收割
physical review letters, Physical Review Letters, 2013, 2013, 卷号: 111, 111, 期号: 15, 页码: 6402, 6402
作者:
Dong Zhang, Wenkai Lou, Maosheng Miao, Shou-cheng Zhang, Kai Chang
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提交时间:2014/03/26
Role of AlxGa1-xAs buffer layer in heterogeneous integration of GaAs/Ge
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 卷号: 109, 期号: 6
作者:
Dong, JR (董建荣)
;
Lu, SL (陆书龙)
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提交时间:2012/08/24
Molecular beam epitaxy growth of gaas on an offcut ge substrate
期刊论文
iSwitch采集
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 6
作者:
He Ji-Fang
;
Niu Zhi-Chuan
;
Chang Xiu-Ying
;
Ni Hai-Qiao
;
Zhu Yan
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提交时间:2019/05/12
Molecular beam epitaxy
Anti-phase domain
Gaas/ge interface
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, CHINESE PHYSICS B, 2011, 2011, 卷号: 20, 20, 期号: 1, 页码: article no.18102, Article no.18102
作者:
He JF
;
Niu ZC
;
Chang XY
;
Ni HQ
;
Zhu Y
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Molecular Beam Epitaxy
Anti-phase Domain
Gaas/ge Interface
Chemical Vapor-deposition
Junction Solar-cells
Domain-free Growth
Temperature
Quality
Future
Measurement of gan/ge(001) heterojunction valence band offset by x-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
iSwitch采集
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 4
作者:
Guo Yan
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提交时间:2019/05/12
Measurement of GaN/Ge(001) Heterojunction Valence Band Offset by X-Ray Photoelectron Spectroscopy
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: art. no. 067302
Guo Y (Guo Yan)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Song HP (Song Hua-Ping)
;
Yang AL (Yang An-Li)
;
Zheng GL (Zheng Gao-Lin)
;
Wei HY (Wei Hong-Yuan)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
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提交时间:2010/07/05
GE
GAAS
GROWTH
Selectively excited photoluminescence of gaas1-xnx single quantum wells
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865
作者:
Luo, XD
;
Tan, PH
;
Xu, ZY
;
Ge, WK
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提交时间:2019/05/12
Study of optical properties in gaas1-xsbx/gaas single quantum wells
期刊论文
iSwitch采集
Acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1761-1765
作者:
Luo, XD
;
Bian, LF
;
Xu, ZY
;
Luo, HL
;
Wang, YQ
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提交时间:2019/05/12
Gaassb/gaas
Selectively-excited
Type ii transition