机构

• 微电子研究所 [3]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2006 [2]
• 2005 [1]
• 2004 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 边缘注入对H型栅SOI pMOSFETs亚阈值泄漏电流的影响 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2006, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 996-999,1003 作者:  吴峻峰;  李多力;  毕津顺;  薛丽君;  海潮和   |  收藏  |   碳纳米管场发射机理述评 期刊论文  OAI收割 材料导报, 2006, 期号: 02 张继华; 杨传仁; 王曦 收藏  |   抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 4，71-74 作者:  海潮和;  韩郑生;  钱鹤;  赵洪辰   |  收藏  |   一种抗总剂量辐照的NMOSFETs 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2004, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 578-580 作者:  韩郑生;  赵洪辰;  海潮和;  钱鹤   |  收藏  |