机构

• 物理研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2002 [1]
• 1999 [1]
• 1995 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Strain relaxation of InP film directly grown on GaAs patterned compliant substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 71-76 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  strain  molecular beam epitaxy  organometallic vapor phase epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  HETEROEPITAXIAL GROWTH  LAYERS  OXIDATION  EPITAXY   Evolution of mosaic structure in Si0.7Ge0.3 epilayers grown on Si(001) substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1999, 卷号: 86, 期号: 3, 页码: 1292 Li, JH; Peng, CS; Mai, ZH; Zhou, JM; Huang, Q; Dai, DY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 THREADING DISLOCATION DENSITY  STRAIN RELAXATION  HETEROEPITAXIAL LAYERS  MISFIT DISLOCATIONS  SURFACE-MORPHOLOGY  SUPERLATTICES  DIFFRACTION  BUFFERS  FILMS   INPLANE X-RAY-SCATTERING OF EPITAXIAL STRUCTURES 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1995, 卷号: 152, 期号: 4, 页码: 354 CUI, SF; WANG, YT; ZHUANG, Y; LI, M; MAI, ZH 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/18 STRAIN RELAXATION  HETEROEPITAXIAL LAYERS  DEVICE STRUCTURES  ROCKING CURVES  SUPERLATTICES  DIFFRACTION  HETEROSTRUCTURES  MISFIT   INPLANE X-RAY-SCATTERING OF EPITAXIAL STRUCTURES 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1995, 卷号: 152, 期号: 4, 页码: 354-358 CUI SF; WANG YT; ZHUANG Y; LI M; MAI ZH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/17 STRAIN RELAXATION  HETEROEPITAXIAL LAYERS  DEVICE STRUCTURES  ROCKING CURVES  SUPERLATTICES  DIFFRACTION  HETEROSTRUCTURES  MISFIT