机构

• 物理研究所 [5]
• 化学研究所 [2]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2007 [1]
• 2005 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection 会议论文  OAI收割 6th european conference on silicon carbide and related materials, newcastle upon tyne, england, sep, 2006 Liu, XF (Liu, X. F.); Sun, GS (Sun, G. S.); Zhao, YM (Zhao, Y. M.); Ning, J (Ning, J.); Li, JY (Li, J. Y.); Wang, L (Wang, L.); Zhao, WS (Zhao, W. S.); Luo, MC (Luo, M. C.); Li, JM (Li, J. M.) 收藏  |  浏览/下载：110/26  |  提交时间：2010/03/29 homoepitaxy  4H-SiC  multi-epilayer  UV detection  p(+)-pi-n(-)  ULTRAVIOLET PHOTODETECTOR  EPITAXIAL-GROWTH   Role of step edges in oxygen vacancy transport into SrTiO3(001) 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 5 Zhu, XD; Fei, YY; Lu, HB; Yang, GZ 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/24 PULSED-LASER DEPOSITION  SINGLE-CRYSTAL SRTIO3  OXIDATION-KINETICS  DOPED SRTIO3  SURFACE  GROWTH  DIFFRACTION  HOMOEPITAXY  DIFFUSION  IRON   Phase-field model of island growth in epitaxy 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW E, 2004, 卷号: 69, 期号: 2 Yu, YM; Liu, BG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HOMOEPITAXY  TEMPERATURE  MORPHOLOGY  TRANSITION  SIMULATION  IRON   Oblique-incidence optical reflectivity difference from a rough film of crystalline material 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2004, 卷号: 69, 期号: 11 Zhu, XD 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/24 ENERGY-ELECTRON-DIFFRACTION  EPITAXIAL-GROWTH  SURFACE  SRTIO3  OSCILLATIONS  HOMOEPITAXY  REFLECTANCE  ELLIPSOMETRY  DEPENDENCE  MBE   Scaling of three-dimensional InN islands grown on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2003, 卷号: 68, 期号: 16 Cao, YG; Xie, MH; Liu, Y; Xu, SH; Ng, YF; Wu, HS; Tong, SY 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/24 ASSEMBLED QUANTUM DOTS  STEP-FLOW GROWTH  SIZE  SURFACES  STRAIN  HETEROEPITAXY  HOMOEPITAXY  MORPHOLOGY  DEPOSITION  INAS   Nanolithographic modification of diamond 期刊论文  OAI收割 DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 2002, 卷号: 11, 期号: 10, 页码: 1788-1796 作者:  Kondo, T;  Yanagisawa, M;  Jiang, L;  Tryk, DA;  Fujishima, A   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/04/09 Homoepitaxy  Diamond Films  Atomic Force Microscopy  Electrical Properties   Pb surfactant-assisted Co film growth on Cu(111) 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 17, 期号: 8, 页码: 595 Xu, MC; Qian, HJ; Liu, FQ; Krash, I; Lai, WY; Wu, SC 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/24 BY-LAYER GROWTH  EPITAXIAL-GROWTH  MEDIATED GROWTH  SUPERLATTICES  SUBMONOLAYER  HOMOEPITAXY  AG(111)  SB  AG   Surface morphology and electrochemical properties of highly boron-doped homoepitaxial diamond films 期刊论文  OAI收割 DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 1999, 卷号: 8, 期号: 11, 页码: 2059-2063 作者:  Yanagisawa, M;  Jiang, L;  Tryk, DA;  Hashimoto, K;  Fujishima, A   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/09 Boron  Diamond Films  Doping  Electrochemistry  Homoepitaxy  Morphology  Surfaces