机构

• 半导体研究所 [33]
• 微电子研究所 [19]
• 苏州纳米技术与纳米... [11]
• 新疆天文台 [4]
• 物理研究所 [3]
• 上海微系统与信息技术... [3]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [69]
• iSwitch采集 [14]

内容类型

• 期刊论文 [70]
• 学位论文 [11]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2018 [2]
• 2017 [3]
• 2016 [2]
• 2015 [2]
• 2013 [2]
• 2012 [9]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [13]
• 半导体物理 [5]
• 天文仪器、天文技术与... [4]
• 半导体器件 [3]
• 天文和天体物理 [2]
• Chemistry;... [1]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共83条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Degradation in AlGaN/GaN HEMTs irradiated with swift heavy ions: Role of latent tracks 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 430, 页码: 59-63 作者:  Hu, P. P.;  Liu, J.;  Zhang, S. X.;  Maaz, K.;  Zeng, J.   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2018/10/08 GaN  HEMT  Swift heavy ion  Latent track  Electrical characteristics   C波段有源微波冷噪声源设计及其性能分析 期刊论文  OAI收割 电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 11, 页码: 2797-2802 作者:  董帅;  王振占;  李彬;  陆浩;  贺秋瑞   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/03/05 有源微波冷噪声源  辐射计  定标  HEMT   大尺寸硅衬底上氮化物外延生长及HEMT制备技术研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2017 刘波亭 收藏  |  浏览/下载：122/0  |  提交时间：2017/06/05 GaN  Si  应变  HEMT  迁移率   HIGH LINEARITY, LOW NOISE, L-BAND CRYOGENIC AMPLIFIER FOR RADIO ASTRONOMICAL RECEIVERS 期刊论文  OAI收割 MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 2017, 卷号: 59, 期号: 3, 页码: 500-505 作者:  Liu, Hongfei;  Jin, Chengjin;  Cao, Yang;  Gan, Hengqian   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/04/08 cryogenic HEMT transistor  low noise amplifier  high linearity  radio astronomy   HIGH LINEARITY, LOW NOISE, L-BAND CRYOGENIC AMPLIFIER FOR RADIO ASTRONOMICAL RECEIVERS 期刊论文  OAI收割 MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 2017, 卷号: 59, 期号: 3, 页码: 500-505 作者:  Liu, Hongfei;  Jin, Chengjin;  Cao, Yang;  Gan, Hengqian 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/05/25 cryogenic HEMT transistor  low noise amplifier  high linearity  radio astronomy   GaN HEMT 基础问题研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 何晓光 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2016/06/02 GaN  HEMT  2DEG  MOCVD  高阻   L/C波段微波辐射计定标及有源微波冷噪声源研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院国家空间科学中心, 2016 作者:  董帅 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/07/15 辐射计  定标  有源微波冷噪声源  双端口微波网络噪声模型  HEMT  极化线栅   GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors Using Low-Pressure Chemical Vapor Deposition SiNx as Gate Dielectric 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 3 作者:  Hua, MY;  Liu, C;  Yang, S;  Liu, SH;  Fu, K(付凯) 收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2015/12/31 Gallium nitride  MIS-HEMT  LPCVD  silicon nitride  gate dielectric   Normally Off AlGaN/GaN MIS-High-Electron Mobility Transistors Fabricated by Using Low Pressure Chemical Vapor Deposition Si3N4 Gate Dielectric and Standard Fluorine Ion Implantation 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Fu, K(付凯);  Deng, XG(邓旭光);  Zhang, XD(张晓东);  Fan, YM(范亚明) 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2015/12/31 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  standard fluorine ion implantation  normally off   A Double-Gate AlGaN/GaN HEMT With Improved Dynamic Performance 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 747-749 作者:  Cai, Y(蔡勇);  Zhao, DS(赵德胜);  Qin, H(秦华);  Zhang, BS(张宝顺);  Zeng, CH(曾春红) 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2013/12/30 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT)  dynamic performance  power device