机构

• 微电子研究所 [3]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2000 [1]
• 1997 [1]

学科主题

• 红外基础研究 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 AlGaN/GaN HEMTs器件布局对器件性能影响分析 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2008, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 4，1769-1771,1775 作者:  魏珂;  刘果果;  郑英奎;  刘新宇;  和致经   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/27 Algan/gan Hemt  器件布局  寄生参数  空气桥   半导体场效应晶体管器件的量子和热电子效应的研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2007 作者:  胡伟达   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/08/14 Gan基mos-hemt器件  Gan基hemt器件  器件模拟  量子方法  自加热效应  热电子效应  电流坍塌效应  量子阱器件   2.5—10Gb／s HEMT IC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 5，145-149 作者:  袁志鹏;  高建军   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/25 Hemt器件  性能研究  光纤通信  调制器驱动电路   用KrF准分子激光移相光刻研制深亚微米栅长InP／In0.75Ga0.25As／InP HEMT 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 1997, 期号: 6, 页码: 4，47-50 作者:  钱鹤;  刘训春   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/25 Hemt器件  移相光刻  准分子激光  深亚微米栅