机构

• 上海光学精密机械研究... [2]
• 金属研究所 [1]
• 中国科学院大学 [1]
• 合肥物质科学研究院 [1]
• 上海硅酸盐研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2016 [2]
• 2007 [2]
• 2006 [2]

学科主题

• 光学薄膜 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Modification of band alignments and optimization of electrical properties of InGaZnO MOS capacitors with high-k HfOxNy gate dielectrics 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 679, 期号: 无, 页码: 115-121 作者:  Zheng, C. Y.;  He, G.;  Chen, X. F.;  Liu, M.;  Lv, J. G. 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/10/18 Band Offset  Hfo2/ingazno4 Heterojunctions  X-ray Photoelectron Spectroscopy  Thin Film Transistors  Electrical Properties  Mos Capacitor   Effects of HfO2 Interlayer on Microstructure and Mechanical Property of Al2O3 Thin Film on MgF2 Substrate 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2016, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 779-784 作者:  Song Bo;  Zhao Li-Li;  Chen Xiao-Ying;  You Li-Jun;  Song Li-Xin 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/02/27 HfO2 interlayer  Al2O3 thin film  microstructure  mechanical properties  MgF2 substrate   Influences of the film thickness on residual stress of the hfo2 thin films 期刊论文  iSwitch采集 Rare metal materials and engineering, 2007, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 412-415 作者:  Shen Yanming;  He Hongbo;  Shao Shuying;  Fan Zhengxiu;  Shao Jianda 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/10 Hfo2 thin film  Residual stress  Thin film thickness  Electron beam evaporation   薄膜厚度对HfO2薄膜残余应力的影响 期刊论文  OAI收割 稀有金属材料与工程, 2007, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 412, 415 申雁鸣; 贺洪波; 邵淑英; 范正修; 邵建达 收藏  |  浏览/下载：1238/189  |  提交时间：2009/09/22 HfO2薄膜  HfO2 thin film  残余应力  residual stress  膜厚  thin film thickness  电子束蒸发  electron beam evaporation   Phase separation enhanced interfacial reactions in complex high-k dielectric films 期刊论文  OAI收割 Integrated Ferroelectrics, 2006, 卷号: 86, 页码: 13-19 X. Y. Qiu; F. Gao; H. W. Liu; J. S. Zhu; J. M. Liu 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/04/14 phase separation  interfacial reaction  high-k dielectric film  pulsed-laser deposition  silicate thin-films  thermal-stability  gate  property  hfo2   Influence of negative ion element impurities on laser induced damage threshold of HfO2 thin film 期刊论文  OAI收割 appl. surf. sci., 2006, 卷号: 253, 期号: 3, 页码: 1111, 1115 Wu ShiGang; Tian GuangLei; 夏志林; 邵建达; 范正修 收藏  |  浏览/下载：886/112  |  提交时间：2009/09/22 negative ion elements  impurities breakdown model  HfO2 thin film  weak absorption  LIDT