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• 苏州纳米技术与纳米仿... [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 会议论文 [2]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2015 [1]
• 2013 [1]
• 2009 [2]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Progress in bulk GaN growth 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 16 作者:  Xu, K(徐科);  Wang, JF(王建峰);  Ren, GQ(任国强) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2015/12/31 nitride semiconductor  bulk GaN  hydride vapor phase epitaxy (HVPE)  dislocation   Electrical and optical inhomogeneity in N-face GaN grown by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 372, 期号: 0, 页码: 43-48 作者:  Ren, GQ(任国强);  Xu, K(徐科);  Su, XJ(苏旭军);  Yang, H(杨辉);  Zhou, TF(周桃飞) 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2014/01/12 Defects  Etching  Hydride vapor phase epitaxy  Nitrides   Hydride vapor phase epitaxial growth of thick GaN layers with in-situ optical monitoring 会议论文  OAI收割 2nd International Symposium on Growth of III Nitrides (ISGN-2), Laforet Shuzenji, JAPAN, JUL 07-09, 2008 作者:  Zhang BS (张宝顺);  Yang H (杨辉);  Xu K (徐科);  Zhang YM (张育民);  Hu XJ (胡晓剑) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2011/03/14 Hydride vapor phase epitaxy  Nitrides   High-resolution X-ray diffraction analysis on HVPE-grown thick GaN layers 会议论文  OAI收割 2nd International Symposium on Growth of III Nitrides (ISGN-2), Laforet Shuzenji, JAPAN, JUL 07-09, 2008 作者:  Hu XJ (胡晓剑);  Xu K (徐科);  Yang H (杨辉);  Wang JF (王建峰);  Xu Y (徐俞) 收藏  |  浏览/下载：231/38  |  提交时间：2011/03/14 High-resolution X-ray diffraction (HR-XRD)  Kaganer model  Modified Kaganer model  Mosaic model  Threading dislocation density  Hydride vapor phase epitaxy (HVPE)