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采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2012 [1]
• 2008 [2]
• 2006 [2]
• 2004 [1]
• 2003 [1]
• 1999 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [2]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The bound states of Fe impurity in wurtzite GaN 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 4 Zhang, M; Zhou, TF; Zhang, YM; Li, B; Zheng, SN; Huang, J; Sun, YP; Ren, GQ; Wang, JF; Xu, K; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/23 IMPLANTED GAN  FERROMAGNETISM  SEMICONDUCTORS   Effect of annealing temperature on optical properties of Er-doped ZnO films prepared by sol-gel method 期刊论文  OAI收割 Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials, 2008, 卷号: 148, 期号: 1-3, 页码: 35-39 F. Ran; L. Miao; S. Tanemura; M. Tanemura; Y. Cao; S. Tanaka and N. Shibata 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/01/22 Er-doped ZnO films  sol-gel method  annealing temperatures  optical  properties  oxide thin-films  1.54 mu-m  activation process  room-temperature  implanted zno  active center  emission  transparent  orientation  gan   Surface erosion of GaN bombarded by highly charged Pb-208(q+)-Ions 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2670-2673 作者:  Zhang, LQ;  Zhang, CH;  Yang, YT;  Yao, CF;  Li, BS   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/10/29 Implanted Gan  Damage   Structure and visible photoluminescence of Sm3+, Dy3+ and Tm3+ doped c-axis oriented AlN films 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 2445-2449 F. S. Liu; Q. L. Liu; J. K. Liang; J. Luo; J. Su; Y. Zhang; B. J. Sun; G. H. Rao 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/04/13 photoluminescence  III-V semiconductor  thin film growth  thin-films  implanted gan  tb ions  emission  luminescence  eu  er  temperature  growth   Structure and visible photoluminescence of Sm3+, Dy3+ and Tm3+ doped c-axis oriented AlN films 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 2006, 卷号: 15, 期号: 10, 页码: 2445 Liu, FS; Liu, QL; Liang, JK; Luo, J; Su, J; Zhang, Y; Sun, BJ; Rao, GH 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/24 THIN-FILMS  IMPLANTED GAN  TB IONS  EMISSION  LUMINESCENCE  EU  ER  TEMPERATURE  GROWTH   The magnetic and structure properties of room-temperature ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)N 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 262, 期号: 1-4, 页码: 287-289 作者:  Zhang FQ(张富强);  Chen NF(陈诺夫);  Liu XL;  Liu ZK;  Yang SY 收藏  |  浏览/下载：841/21  |  提交时间：2009/08/03 X-Ray Diffraction  Ion Beam Deposition  Gan/Al2O3  Ferromagnetic Materials  Implanted Gan  Injection   (Ga,Mn,N) compounds growth with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207 Zhang FQ; Chen NF; Liu XG; Liu ZK; Yang SY; Cha CL 收藏  |  浏览/下载：70/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  ion beam epitaxy  semiconducting III-V materials  DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS  IMPLANTED GAN  FERROMAGNETISM  INJECTION  GAAS  MN   p-type co-doping study of GaN by photoluminescence 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 1-2, 页码: 368-371 Zhang JP; Sun DZ; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 p-type co-doping  photoluminescence  acceptor ionization energy  IMPLANTED GAN  TRANSITIONS  ENERGY  GALLIUM NITRIDE