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发表日期

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Improving Room-Temperature Ferromagnetism in Mn-Implanted Si by High-Temperature Annealing 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, 2015, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 2400204 作者:  Li, TC;  Liu, CX;  Chen, JH;  Peng, GL;  Luo, FF 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2016/04/18 Diluted magnetic semiconductors (DMSs)  Mn-implanted Si  room-temperature ferromagnetism  short-range spin correlation   Photoluminescence study of Ge nanocrystals irradiated by reactor neutron flux 期刊论文  OAI收割 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2007, 卷号: 264, 期号: 2, 页码: 272-276 S. B. Dun; T. C. Lu; Q. Hu; Y. W. Hu; C. F. You; S. B. Zhang; B. Tang; J. L. Dai; N. K. Huang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/13 Ge nanocrystals  neutron transmutation doping  photoluminescence  Raman  scattering  doped si nanocrystals  electron-spin-resonance  semiconductor  nanocrystals  n-type  implanted sio2-films  silicon nanocrystals  porous  silicon  raman  luminescence  temperature   Characterization of stress induced in SOS and Si/gamma-Al2O3/Si heteroepitaxial thin films by Raman spectroscopy 外文期刊  OAI收割 2005 作者:  Wang, QY;  Wang, J;  Wang, JH;  Liu, ZL;  Lin, LY   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/26 Silicon-on-sapphire  Implanted Silicon  Si  Fabrication  Improvement  Epitaxy  Growth  Layers   Effect of ion-induced defects and oxygen concentration in annealing atmosphere on formation of buried oxide layer in SIMOX materials 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 305-309 Chen, J; Wang, X; Jin, B; Zhang, E; Sun, J; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 IMPLANTED SILICON  ISOTOPIC EXCHANGE  ON-INSULATOR  SI  TEMPERATURE  DIFFUSION   The crystal structural evolution of nano-Si anode caused by lithium insertion and extraction at room temperature 期刊论文  OAI收割 SOLID STATE IONICS, 2000, 卷号: 135, 期号: 1-4, 页码: 181 Li, H; Huang, XJ; Chen, LQ; Zhou, GW; Zhang, Z; Yu, DP; Mo, YJ; Pei, N 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/23 ION-IMPLANTED SI  AMORPHIZATION PROCESSES  RECHARGEABLE BATTERIES  LASER-ABLATION  SILICON  NANOWIRES  ELECTRODES  LI   Preparation and characterization of erbium doped sol-gel silica glasses 会议论文  OAI收割 conference on rare-earth-doped materials and devices iii, san jose, ca, jan 27-28, 1999 Lei HB; Yang QQ; Ou HY; Chen BW; Yu JZ; Wang QM; Xie DT; Wu JG; Xu DF; Xu GX 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/10/29 Er-doped silica glass  sol-gel process  photoluminescence  PLANAR WAVE-GUIDES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CRYSTAL SILICON  IMPLANTED SI  LUMINESCENCE  ELECTROLUMINESCENCE  FABRICATION  IMPURITIES  FILMS  IONS   X-ray-diffraction study of quasipseudomorphic ErSi1.7 layers formed by channeled ion-beam synthesis 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1996, 卷号: 80, 期号: 10, 页码: 5713-5717 Wu MF; Vantomme A; Pattyn H; Langouche G; Yang QQ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/11/17 EPITAXIAL ERBIUM SILICIDE  RARE-EARTH SILICIDES  DIFFUSION MARKER EXPERIMENTS  THIN-FILMS  111 SI  ELECTRICAL-PROPERTIES  ATOMIC-STRUCTURE  IMPLANTED SI  YTTRIUM  GROWTH