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半导体研究所 [3]
金属研究所 [1]
宁波材料技术与工程研... [1]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
2019 [1]
2012 [1]
2010 [1]
2002 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [1]
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Single peak deep ultraviolet emission and high internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on large miscut sapphire substrates
期刊论文
OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2019, 卷号: 129, 页码: 20-27
作者:
Xu, Houqiang
;
Jiang, Jie'an
;
Sheikhi, Moheb
;
Chen, Zhaoying
;
Hoo, Jason
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提交时间:2019/12/18
SURFACE-MORPHOLOGY
GAN FILMS
KINETICS
QUALITY
TERNARY
INGAN
BLUE
Pyramidal dislocation induced strain relaxation in hexagonal structured InGaN/AlGaN/GaN multilayer
期刊论文
OAI收割
Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 8
P. F. Yan
;
K. Du
;
M. L. Sui
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提交时间:2013/02/05
quantum-well structures
light-emitting-diodes
deformation mechanisms
metallic multilayers
thin-films
misfit dislocations
ingan epilayers
composites
interfaces
gan
A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356
作者:
Wei HY
;
Song HP
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浏览/下载:145/13
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提交时间:2010/04/22
MOVPE
In-rich InGaN
Indium incorporation
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CRITICAL THICKNESS
DROPLET FORMATION
PHASE-SEPARATION
TEMPERATURE
FILMS
HETEROSTRUCTURES
IMMISCIBILITY
INXGA1-XN
Growth mode and strain evolution during InN growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962
Ng YF
;
Cao YG
;
Xie MH
;
Wang XL
;
Tong SY
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
MISFIT DISLOCATIONS
DEFECTS
INGAN
GAN
REDUCTION
INDIUM
LAYERS
FILMS
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
OAI收割
international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000
作者:
Zhao DG
;
Zhang SM
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提交时间:2010/10/29
MOCVD
GaN
InGaN
cubic
LED
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GALLIUM NITRIDE
PHASE EPITAXY
INGAN FILMS
ELECTROLUMINESCENCE
ZINCBLENDE
WURTZITE
MBE