机构

• 半导体研究所 [3]
• 金属研究所 [1]
• 宁波材料技术与工程研... [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2019 [1]
• 2012 [1]
• 2010 [1]
• 2002 [1]
• 2000 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Single peak deep ultraviolet emission and high internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on large miscut sapphire substrates 期刊论文  OAI收割 SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2019, 卷号: 129, 页码: 20-27 作者:  Xu, Houqiang;  Jiang, Jie'an;  Sheikhi, Moheb;  Chen, Zhaoying;  Hoo, Jason   |  收藏  |   Pyramidal dislocation induced strain relaxation in hexagonal structured InGaN/AlGaN/GaN multilayer 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 8 P. F. Yan; K. Du; M. L. Sui 收藏  |   A study of indium incorporation in In-rich InGaN grown by MOVPE 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2010, 卷号: 256, 期号: 10, 页码: 3352-3356 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |   Growth mode and strain evolution during InN growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962 Ng YF; Cao YG; Xie MH; Wang XL; Tong SY 收藏  |   MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文  OAI收割 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2000), nagoya, japan, sep 24-27, 2000 作者:  Zhao DG;  Zhang SM 收藏  |