机构

• 金属研究所 [3]
• 半导体研究所 [2]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2013 [1]
• 2012 [1]
• 2010 [1]
• 2008 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [1]
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学科主题

• 半导体材料 [2]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GROWTH OF HIGHLY (0002) ORIENTED InN FILMS ON AlInN/AlN BILAYER 期刊论文  OAI收割 Surface Review and Letters, 2013, 卷号: 20, 期号: 2 C. J. Dong; M. Xu; W. Lu; Q. Z. Huang 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/12/24 Thin films  nitrides  sputtering  microstructure  chemical-vapor-deposition  molecular-beam epitaxy  optical-properties  lattice-constants  phase epitaxy  wurtzite inn  thin-films  layers  spectroscopy  nitridation   Deposition and properties of highly c-oriented of InN films on sapphire substrates with ECR-plasma-enhanced MOCVD 期刊论文  OAI收割 RARE METALS, 2012, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 150-153 作者:  Qin Fuwen;  Zhang Dong;  Bai Yizhen;  Ju Zhenhe;  Li Shuangmei   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2021/02/02 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GROWTH  InN films  ECR-PEMOCVD  sapphire substrates  semiconductor devices   The growth of ZnO on bcc-In2O3 buffer layers and the valence band offset determined by X-ray photoemission spectroscopy 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994 Song HP (Song H. P.); Zheng GL (Zheng G. L.); Yang AL (Yang A. L.); Guo Y (Guo Y.); Wei HY (Wei H. Y.); Li CM (Li C. M.); Yang SY (Yang S. Y.); Liu XL (Liu X. L.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/27 ZnO  In2O3  MOCVD  Photoelectron spectroscopies  IN2O3-ZNO FILMS  TRANSPARENT  OXIDE  SEMICONDUCTORS  INN   Electronic and Optical Properties of Rock-Salt AlN under High Pressure via First-Principles Analysis 期刊论文  OAI收割 Communications in Theoretical Physics, 2008, 卷号: 50, 期号: 4, 页码: 990-994 W. Zhang; X. R. Chen; L. C. Cai; Q. Q. Gou 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/04/13 semiconductors  electronic band structure  optical properties  density  functional theory  aluminum nitride  wurtzite  zincblende  gan  films  inn   Research on the band-gap of InN grown on siticon substrates 会议论文  OAI收割 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Xiao, HL; Wang, XL; Wang, JX; Zhang, NH; Liu, HX; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：111/15  |  提交时间：2010/03/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  WURTZITE INN  NITRIDE  ABSORPTION  ALLOYS  FILMS   Synthesis of long indium nitride nanowires with uniform diameters in large quantities 期刊论文  OAI收割 SMALL, 2005, 卷号: 1, 期号: 10, 页码: 1004 Luo, SD; Zhou, WY; Zhang, ZX; Liu, LF; Dou, XY; Wang, JX; Zhao, XW; Liu, DF; Gao, Y; Song, L; Xiang, YJ; Zhou, JJ; Xie, SS 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2013/09/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRON-TRANSPORT  THERMAL-STABILITY  HEXAGONAL INN  BAND-GAP  GROWTH  GALLIUM  NANOTUBES  FILMS