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Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文  OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
杜文娜
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2016/05/31
中波红外InAsSb薄膜的LPE生长、特性研究和器件工艺探索 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  王奇伟
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/09/11
InSb基窄带半导体薄膜的分子束外延和光电特性研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  张燕辉
  |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/09/11
InAs/GaSb superlattices grown by LP-MOCVD for similar to 10 mu m wavelength infrared range 期刊论文  OAI收割
infrared physics & technology, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 478-481
作者:  YinFei
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/06/29
InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy 期刊论文  OAI收割
Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475
作者:  Gao FB;  Chen NF(陈诺夫);  Liu L;  Zhang XW;  Wu JL
收藏  |  浏览/下载：1096/26  |  提交时间：2009/08/03
Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108
作者:  Zhang XW
收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11
Magnetron sputtering growth of InAs0.3Sb0.7 films on (100) GaAs substrates: Strong effect of growth conditions on film structure 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 4, 页码: 459-465
作者:  
收藏  |  浏览/下载：320/5  |  提交时间：2010/04/11