机构

• 半导体研究所 [2]
• 物理研究所 [1]
• 金属研究所 [1]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
• 新疆理化技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2023 [1]
• 2020 [1]
• 2011 [1]
• 2010 [2]
• 2009 [1]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Enhancement of in-plane thermal conductivity of flexible boron nitride heat spreaders by micro/nanovoid filling using deformable liquid metal nanoparticles 期刊论文  OAI收割 RARE METALS, 2023, 页码: 11 作者:  Tao, Pei-Di;  Wang, Shao-Gang;  Chen, Lu;  Ying, Jun-Feng;  Lv, Le   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2024/01/08 Boron nitride nanosheet  Liquid metal  Eutectic gallium-indium  In-plane thermal conductivity  Heat spreader   1 meV electron irradiation and post-annealing effects of GaInAsN diluted nitride alloy with 1 eV bandgap energy 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2020, 卷号: 709, 期号: 9, 页码: 1-5 作者:  Sailai, M (Sailai, Momin)[ 1 ];  Lei, QQ (Lei, Qi Qi)[ 1,2 ];  Aierken, A (Aierken, Abuduwayiti)[ 1,3 ];  Heini, M (Heini, Maliya)[ 1,4 ];  Zhao, XF (Zhao, Xiao Fan)[ 1 ]   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2020/10/23 Gallium indium arsenide nitride alloy  Electron irradiation  Photoluminescence  Thermal annealing  Arrhenius plot   Simulation of electrical properties of InxAl1- XN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure 期刊论文  OAI收割 journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 83003 Bi, Yang; Wang, Xiaoliang; Xiao, Hongling; Wang, Cuimei; Yang, Cuibai; Peng, Enchao; Lin, Defeng; Feng, Chun; Jiang, Lijuan, 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/06/14 Aluminum  Electron mobility  Gallium nitride  High electron mobility transistors  Indium  Poisson equation  Polarization  Two dimensional electron gas   Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer 期刊论文  OAI收割 Thin Solid Films, 2010, 卷号: 518, 期号: 17, 页码: 5028-5031 作者:  Zhang SM;  Yang H (杨辉) 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2011/03/13 Gallium Nitride  Indium Gallium Nitride  Cathodeluminescence  X-ray Diffraction  Metal-Organic Chemical Vapor Deposition   Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2010, 卷号: 518, 期号: 17, 页码: 5028-5031 Wang H (Wang H.); Jiang DS (Jiang D. S.); Jahn U (Jahn U.); Zhu JJ (Zhu J. J.); Zhao DG (Zhao D. G.); Liu ZS (Liu Z. S.); Zhang SM (Zhang S. M.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：71/2  |  提交时间：2010/08/17 Gallium Nitride  Indium Gallium Nitride  Cathodeluminescence  X-ray Diffraction  Metal-Organic Chemical Vapor Deposition   Facile Route to Nitrides: Transformation from Single Element to Binary and Ternary Nitrides at Moderate Temperature through a New Modified Solid-State Metathesis 期刊论文  OAI收割 INORGANIC CHEMISTRY, 2009, 卷号: 48, 期号: 22, 页码: 10519 Song, B; Chen, XL; Han, JC; Jian, JK; Wang, WY; Zuo, HB; Zhang, XH; Meng, SH 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/17 NANOCRYSTALLINE INDIUM NITRIDE  GALLIUM NITRIDE  SOLVOTHERMAL SYNTHESIS  METAL NITRIDES  CARBOTHERMAL REDUCTION  PRECURSOR SYNTHESIS  RAPID SYNTHESIS  NITROGEN-SOURCE  FLUX METHOD  GAN