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机构
半导体研究所 [4]
上海硅酸盐研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2018 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2001 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
Materials ... [1]
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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80
85
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Analysis of Indium Oxidation State on the Electronic Structure and Optical Properties of TiO2
期刊论文
OAI收割
MATERIALS, 2018, 卷号: 11, 期号: 6
作者:
Khan, Matiullah
;
Lan, Zhenghua
;
Zeng, Yi
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收藏
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浏览/下载:20/0
|
提交时间:2018/12/28
Indium doped TiO2
oxidation state
doping concentration
optical response
Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231
Wu JJ (Wu Jiejun)
;
Han XX (Han Xiuxun)
;
Li JM (Li Jiemin)
;
Wei HY (Wei Hongyuan)
;
Cong GW (Cong Guangwei)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Jia QJ (Jia Quanjie)
;
Guo LP (Guo Liping)
;
Hu TD (Hu Tiandou)
;
Wang HH (Wang Huanhua)
收藏
|
浏览/下载:67/0
|
提交时间:2010/04/11
in doping
cracks
Si(111) substrate
LT-AlGaN interlayer
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
PHASE EPITAXY
INDIUM-SURFACTANT
OPTICAL-PROPERTIES
SI(111)
STRESS
FILMS
Effects of v/iii ratio on ingaas and inp grown at low temperature by lp-mocvd
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 23-27
作者:
Jiang, L
;
Lin, T
;
Wei, X
;
Wang, GH
;
Zhang, GZ
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Doping
X-ray diffraction
Low press
Metalorganic vapor phase epitaxy
Semiconducting iii-v materials
Semiconducting indium phosphide
Indium doping effect on gan in the initial growth stage
期刊论文
iSwitch采集
Journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979
作者:
Yuan, HR
;
Lu, DC
;
Liu, XL
;
Chen, Z
;
Wang, XH
收藏
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浏览/下载:26/0
|
提交时间:2019/05/12
Gan
Indium doping
Initial growth stage
Morphology
Optical transmission
Photoluminescence
Indium doping effect on GaN in the initial growth stage
期刊论文
OAI收割
journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:166/29
|
提交时间:2010/08/12
GaN
indium doping
initial growth stage
morphology
optical transmission
photoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
BUFFER LAYER
FILMS
SAPPHIRE
DEPOSITION
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