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Analysis of Indium Oxidation State on the Electronic Structure and Optical Properties of TiO2 期刊论文  OAI收割
MATERIALS, 2018, 卷号: 11, 期号: 6
作者:  
Khan, Matiullah;  Lan, Zhenghua;  Zeng, Yi
  |  收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2018/12/28
Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割
optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231
Wu JJ (Wu Jiejun); Han XX (Han Xiuxun); Li JM (Li Jiemin); Wei HY (Wei Hongyuan); Cong GW (Cong Guangwei); Liu XL (Liu Xianglin); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Jia QJ (Jia Quanjie); Guo LP (Guo Liping); Hu TD (Hu Tiandou); Wang HH (Wang Huanhua)
收藏  |  浏览/下载:67/0  |  提交时间:2010/04/11
Effects of v/iii ratio on ingaas and inp grown at low temperature by lp-mocvd 期刊论文  iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 23-27
作者:  
Jiang, L;  Lin, T;  Wei, X;  Wang, GH;  Zhang, GZ
收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2019/05/12
Indium doping effect on gan in the initial growth stage 期刊论文  iSwitch采集
Journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979
作者:  
Yuan, HR;  Lu, DC;  Liu, XL;  Chen, Z;  Wang, XH
收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2019/05/12
Indium doping effect on GaN in the initial growth stage 期刊论文  OAI收割
journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979
作者:  
Han PD
收藏  |  浏览/下载:166/29  |  提交时间:2010/08/12
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