机构

• 福建物质结构研究所 [2]
• 长春光学精密机械与物... [1]
• 中国科学院大学 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2016 [1]
• 2009 [2]
• 2005 [1]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Detailed study of the influence of ingaas matrix on the strain reduction in the inas dot-in-well structure 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2016, 卷号: 11, 期号: 1 作者:  Wang,Peng;  Chen,Qimiao;  Wu,Xiaoyan;  Cao,Chunfang;  Wang,Shumin 收藏  |   The effects of indium segregation on exciton binding energy and oscillator strength in GaInAs/GaAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 618-626 S. D. Wu, Z. Huang, Y. Liu, Q. F. Huang, W. Guo and Y. G. Cao 收藏  |   The effects of indium segregation on exciton binding energy and oscillator strength in GaInAs/GaAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 618-626 S. D. Wu, Z. Huang, Y. Liu, Q. F. Huang, W. Guo and Y. G. Cao 收藏  |   Theoretical analysis of 980nm high power Vertical External-cavity Surface-emitting Semiconductor Laser (VECSEL) (EI CONFERENCE) 会议论文  OAI收割 ICO20: Lasers and Laser Technologies, August 21, 2005 - August 26, 2005, Changchun, China 作者:  Wang L.-J.;  Wang L.-J.;  Ning Y.-Q.;  Qin L. 收藏  |   InAs self-assembled quantum dots grown on an InP (311)B substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: 4186-4188 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |