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• 上海微系统与信息技术... [5]

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• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2001 [2]
• 2000 [3]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaAs MESFET旁栅效应与旁栅距的关系研究 期刊论文  OAI收割 半导体情报, 2001, 期号: 01 丁干; 崔丽娟; 丁勇; 毛友德; 赵福川; 夏冠群 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 旁栅效应  旁栅距  碰撞电离   旁栅阈值电压与旁栅距的关系研究 期刊论文  OAI收割 固体电子学研究与进展, 2001, 期号: 03 丁勇; 毛友德; 夏冠群; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 旁栅效应  旁栅距  碰撞电离   GaAs衬底深能级EL2与电路旁栅效应的光敏特性和迟滞现象 期刊论文  OAI收割 半导体杂志, 2000, 期号: 01 宁珺; 丁勇; 夏冠群; 赵福川; 毛友德; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 旁栅效应  光敏特性  迟滞现象  深能级   GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2000, 期号: 04 丁勇; 赵福川; 毛友德; 夏冠群; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 旁栅效应  漏源电压  交换源漏  EL_2碰撞电离   GaAs衬底深能级EL_2与电路旁栅效应的光敏特征和迟滞现象 期刊论文  OAI收割 微电子技术, 2000, 期号: 02 宁珺; 丁勇; 毛友德; 夏冠群; 赵福川; 赵建龙 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/29 K1 旁栅效应  光敏特征  迟滞现象  深能级