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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Epitaxial growth mechanism of perovskite (111) SrTiO3 on wurtzite (0002) GaN with single unit- cell TiN buffer layers 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 465, 页码: 1055 作者:  Li, Guanjie;  Li, Xiaomin;  Chen, Yongbo;  Jia, Shasha;  Xu, Xiaoke   |  收藏  |  浏览/下载：125/0  |  提交时间：2019/12/31 Epitaxial growth  SrTiO3  GaN  TiN buffer layer  Pulsed laser deposition   Preferentially epitaxial growth of beta-FeOOH nanoflakes on SnO2 hollow spheres allows the synthesis of SnO2/alpha-Fe2O3 hetero-nanocomposites with enhanced gas sensing performance for dimethyl disulfide 期刊论文  OAI收割 SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL, 2018, 卷号: 272, 页码: 348-360 作者:  Liu, Bo;  Gao, Lei;  Zhou, Fei;  Duan, Guotao   |  收藏  |  浏览/下载：143/0  |  提交时间：2019/11/11 Preferentially epitaxial growth  SnO2/alpha-Fe2O3 hetero-nanocomposite  Electron accumulation layer  Gas sensing performance  Dimethyl disulfide   A general synthetic strategy to monolayer graphene 期刊论文  OAI收割 NANO RESEARCH, 2018, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: 3088-3095 作者:  Zhu Youqi;  Cao Tai;  Cao Chuanbao;  Ma Xilan;  Xu Xingyan   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/02/26 FEW-LAYER GRAPHENE  EPITAXIAL GRAPHENE  GRAPHITE OXIDE  HIGH-QUALITY  GROWTH  CARBON  FILMS  EXFOLIATION  NANOSHEETS  SUBSTRATE  monolayer graphene  pyrolytic conversion  sodium carboxylate  bulk production   2D Phosphorene_ Epitaxial Growth and Interface Engineering for Electronic Devices 期刊论文  OAI收割 Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 47, 页码: 11 作者:  Zhang, J. L.;  Han, C.;  Hu, Z. H.;  Wang, L.;  Liu, L.   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/09/17 2D phosphorene  electronic devices  epitaxial growth  interface  engineering  layer black phosphorus  2-dimensional materials  band-gap  transport-properties  carrier mobility  blue phosphorus  graphene  surface  functionalization  semiconductors  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics   High-performance BiFe0.95Mn0.05O3 ferroelectric film epitaxially integrated on GaN substrate with LSMO/TiO2 bi-layer buffer 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2017, 卷号: 193, 页码: 240-243 作者:  Xu, Leilei;  Li, Xiaomin;  Zhu, Qiuxiang;  Xu, Xiaoke;  Qin, Meng 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2017/05/15 Ferroelectrics  Bismuth ferrite  Bi-layer buffer  Epitaxial growth  GaN integration   Current advances in lanthanide ion (Ln(3+))-based upconversion nanomaterials for drug delivery 期刊论文  OAI收割 chemical society reviews, 2015, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 1416-1448 作者:  Yang,Dongmei;  Ma,Ping'an;  Hou,Zhiyou;  Cheng,Ziyong;  Li,Chunxia 收藏  |  浏览/下载：136/0  |  提交时间：2016/04/29 NEAR-INFRARED-LIGHT  MESOPOROUS SILICA NANOPARTICLES  RAY COMPUTED-TOMOGRAPHY  CORE-SHELL NANOPARTICLES  TARGETED PHOTOTHERMAL THERAPY  GUIDED PHOTODYNAMIC THERAPY  RESONANCE ENERGY-TRANSFER  DOPED NAYF4 NANOCRYSTALS  LAYER EPITAXIAL-GROWTH  BIOIMAGING IN-VIVO   Multimodal cancer imaging using lanthanide-based upconversion nanoparticles 期刊论文  OAI收割 nanomedicine, 2015, 卷号: 10, 期号: 16, 页码: 2573-2591 作者:  Yang,Dongmei;  Li,Chunxia;  Lin,Jun 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/05/06 RAY COMPUTED-TOMOGRAPHY  NEAR-INFRARED LIGHT  TARGETED DRUG-DELIVERY  LAYER EPITAXIAL-GROWTH  IN-VIVO  MAGNETIC-RESONANCE  PHOTODYNAMIC THERAPY  DOPED NANOPARTICLES  MESOPOROUS-SILICA  MULTIFUNCTIONAL NANOPARTICLES   Two-dimensional growth of Al films on Si(111)-7 x 7 at low-temperature 期刊论文  OAI收割 SURFACE SCIENCE, 2004, 卷号: 571, 期号: 1-3, 页码: 5 Liu, H; Zhang, YF; Wang, DY; Pan, MH; Jia, JF; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/23 BY-LAYER GROWTH  SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  ENERGY-ELECTRON-DIFFRACTION  EPITAXIAL-GROWTH  HOMOEPITAXIAL GROWTH  SELF-DIFFUSION  AG ISLANDS  SURFACES  NUCLEATION  AL(111)   Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：79/5  |  提交时间：2010/08/12 substrates  heteroepitaxy  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  INTERMEDIATE LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SAPPHIRE  FILM   A new method to fabricate InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194 Chen Z; Lu DH; Yuan HR; Han P; Liu XL; Li YF; Wang XH; Lu Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：110/11  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  GAN BUFFER LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  PHASE EPITAXY  SURFACES  TEMPERATURE  DEPENDENCE  MODE  WIRE