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发表日期

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浏览/检索结果: 共58条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A SiC asymmetric cell trench MOSFET with a split gate and integrated p(+)-poly Si/SiC heterojunction freewheeling diode 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, CHINESE PHYSICS B, 2023, 2023, 卷号: 32, 32, 期号: 5, 页码: 8, 8 作者:  Jiang, Kaizhe;  Zhang, Xiaodong;  Tian, Chuan;  Zhang, Shengrong;  Zheng, Liqiang   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2023/10/07 split gate (SG)  split gate (SG)  heterojunction freewheeling diode (HJD)  SiC asymmetric cell trench MOSFET  turn-on loss  turn-off loss  heterojunction freewheeling diode (HJD)  SiC asymmetric cell trench MOSFET  turn-on loss  turn-off loss   碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021 作者:  杨圣   |  收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2021/08/27 SiC功率MOSFET  电离总剂量效应  高功率  开关频率  长期可靠性   A MOSFET-based high voltage nanosecond pulse module for the gating of proximity-focused microchannel plate image-intensifier 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 卷号: 987 作者:  Fang, Yuman;  Gou, Yongsheng;  Zhang, Minrui;  Wang, Junfeng;  Tian, Jinshou   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2021/01/28 Image intensifier  ICCD camera  MOSFET switching  Ultrafast imaging  Nanosecond pulse generation   A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design 会议论文  OAI收割 Guilin, China, June 4-6, 2021 作者:  Cheng H(程贺);  Zhang C(张超);  Liu TF(刘铁锋);  Xie C(谢闯);  Yang ZJ(杨志家)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2022/02/04 ballistic transport  compact model  integrated-cricuit design  sub-7 nm GAA MOSFET  the source-drain tunneling   空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  梁晓雯   |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2020/11/19 SiC MOSFET  栅氧可靠性  总剂量效应  单粒子效应  潜损伤  安全工作区   Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET 期刊论文  OAI收割 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 559-566 作者:  Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ];  Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ];  Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1,2 ]   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/12/11 SiC MOSFET  total ionizing dose irradiation  time-dependent dielectric breakdown   Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling 期刊论文  OAI收割 Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9 作者:  Cheng H(程贺);  Liu TF(刘铁锋);  Zhang C(张超);  Liu ZF(刘志峰);  Yang ZJ(杨志家)   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/07/11 ballistic transport  cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET  compact model  Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation  the source-to-drain tunneling   γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017 作者:  苏丹丹   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/09/26 Mosfet  Tddb  辐射效应  可靠性   Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 孔祥挺 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/06/05 InGaAs沟道  高迁移率  MOSFET  Ge/Si衬底   A 0.5-v novel complementary current-reused cmos lna for 2.4 ghz medical application 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronics journal, 2016, 卷号: 55, 页码: 64-69 作者:  Dai, Ruofan;  Zheng, Yunlong;  He, Jun;  Liu, Guojun;  Kong, Weiran 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/09 Low voltage  Lna  Modified complementary current-reused  Diode connected mosfet bias  Forward body-bias  Harmonic rejection