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	Characterization of periodicity fluctuations in ingan/gan mqws by the kinematical simulation of x-ray diffraction 期刊论文 iSwitch采集 Applied physics express, 2019, 卷号: 12, 期号: 4 作者: Li,Yangfeng; Die,Junhui; Yan,Shen; Deng,Zhen; Ma,Ziguang 收藏 \| 浏览/下载：126/0 \| 提交时间：2019/05/09 Xrd Mqws Interface roughness
	Strain modulated nanostructure patterned AlGaN-based deep ultraviolet multiple-quantum-wells for polarization control and light extraction efficiency enhancement 期刊论文 OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 30, 期号: 43 作者: Xu, Houqiang; Long, Hanling; Jiang, Jie'an; Sheikhi, Moheb; Li, Liang \| 收藏 \| 浏览/下载：61/0 \| 提交时间：2019/12/18 III-NITRIDE BLUE EMITTING-DIODES OPTICAL-PROPERTIES ALN SURFACE BUFFER MQWS LEDS GAN
	GaN基激光器多量子阱垒材料的研究期刊论文 OAI收割光谱学与光谱分析, 2009, 期号: 6, 页码: 1441-1444 作者: 陈伟华; 廖辉; 胡晓东; 李睿; 贾全杰收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2015/12/25 GaN基激光器多量子阱(MQWs) AlInGaN 垒材料
	Evolution from point defects to arsenic clusters in low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells 期刊论文 OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 4, 页码: 355-359 Zhang MH; Han YJ; Zhang YH; Huang Q; Bao CL; Wang WX; Zhou JM; Lu LW 收藏 \| 浏览/下载：79/0 \| 提交时间：2010/08/12 LT-GaAs LT MQWs defect photoluminescence electroabsorption SPATIAL LIGHT MODULATORS MOLECULAR-BEAM EPITAXY GAAS RECOMBINATION DYNAMICS
	Normal-incident SiGe/Si MQWs photodetectors operating at 1.3 mu m 会议论文 OAI收割 spie conference on photonics technology into the 21st century - semiconductors, microstructures, and nanostructures, singapore, singapore, dec 01-03, 1999 Cheng BW; Li C; Yang QQ; Wang HJ; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2010/10/29 SiGe/Si MQWs photodetector 1.3 MU-M SI/SIO2