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浏览/检索结果: 共27条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Self-Assembled Peptide Nanofibers with Voltage-Regulated Inverse Photoconductance 期刊论文  OAI收割 ACS Applied Materials and Interfaces, 2021, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 1057-1064 作者:  Shi HY(石慧瑶);  Li ML(李明林);  Shi JL(施佳林);  Zhang DD(张鼎冬);  Fan Z(范震)   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/02/14 peptide  nanomaterial  self-assembly  inverse photoconductance  visual memory  optoelectronic device   All-Optically Controlled Memristor for Optoelectronic Neuromorphic Computing 期刊论文  OAI收割 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2021, 卷号: 31, 期号: 4 作者:  Hu, Lingxiang;  Yang, Jing;  Wang, Jingrui;  Cheng, Peihong;  Chua, Leon O.   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2021/12/01 AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR  RESISTIVE SWITCHING MEMORY  ELECTRONIC-STRUCTURE  SYNAPSES  DEVICE  A-INGAZNO4-X  NETWORKS   All-Optically Controlled Memristor for Optoelectronic Neuromorphic Computing 期刊论文  OAI收割 ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2020 作者:  Hu, Lingxiang;  Yang, Jing;  Wang, Jingrui;  Cheng, Peihong;  Chua, Leon O.   |  收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2020/12/16 AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR  RESISTIVE SWITCHING MEMORY  ELECTRONIC-STRUCTURE  SYNAPSES  DEVICE  A-INGAZNO4-X  NETWORKS   An Oxide Schottky Junction Artificial Optoelectronic Synapse 期刊论文  OAI收割 ACS NANO, 2019, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 2634-2642 作者:  Gao, Shuang;  Liu, Gang;  Yang, Huali;  Hu, Chao;  Chen, Qilai   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/12/18 WORK FUNCTION  MEMRISTOR  MEMORY  MECHANISMS  PLASTICITY  DEVICE   Redox gated polymer memristive processing memory unit 期刊论文  OAI收割 NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10 作者:  Zhang, Bin;  Fan, Fei;  Xue, Wuhong;  Liu, Gang;  Fu, Yubin   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/12/18 NONVOLATILE RESISTIVE MEMORY  TERMINATED HYPERBRANCHED POLYIMIDE  FERROCENE DERIVATIVES  RECENT PROGRESS  DEVICE  TRIPHENYLAMINE  FUTURE  STATE   Effect of crystalline state on conductive filaments forming process in resistive switching memory devices 期刊论文  OAI收割 Materials Today Communications, 2019, 卷号: 20, 期号: 5 作者:  T.Guo;  H.Elshekh;  Z.Yu;  B.Yu;  D.Wang   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2020/08/24 Cu(In, Ga)Se-2,Crystalline state,Conductive filaments,Memory device,current-voltage characteristics   Tunneling of photon-generated carrier in the interface barrier induced resistive switching memory behaviour 期刊论文  OAI收割 Journal of Colloid and Interface Science, 2019, 卷号: 553, 页码: 682-687 作者:  B.Sun;  T.Guo;  G.D.Zhou;  S.Ranjan;  W.T.Hou   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/08/24 Resistive switching,Tunneling,Photon-generated carrier,Schottky,barrier,Memory device,wo3 nanoflakes,resistance,mechanism,device,Chemistry   Investigation of flux dependent sensitivity on single event effect in memory devices 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: 076101 作者:  Liu, Tian-qi;  Xi, Kai;  Hou, Ming-dong;  Sun, You-mei;  Duan, Jing-lai   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/10/08 ion flux  single event effect  GEANT4 simulation  memory device   Influence of heavy ion flux on single event effect testing in memory devices 会议论文  OAI收割 作者:  Xi, Kai;  Luo, Jie;  Liu, Jie;  Sun, Youmei;  Hou, Mingdong   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/08/20 Swift heavy ions  Ion flux  Single event effect  Memory device   Influence of heavy ion flux on single event effect testing in memory devices 会议论文  OAI收割 作者:  Xi, Kai;  Sun, Youmei;  Luo, Jie;  Liu, Jie;  Liu, Tianqi   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/08/20 Swift heavy ions  Ion flux  Single event effect  Memory device