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The effects of sapphire nitridation on GaN growth by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12
作者:  Yang, H (杨辉);  Zhang, BS (张宝顺);  Zhang, SM (张书明)
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/07/25
Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 期刊论文  OAI收割
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801
Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Chen GF (Chen Gui-Feng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Wang H (Wang Hui); Wang YT (Wang Yu-Tian); Yang H (Yang Hui)
收藏  |  浏览/下载：140/4  |  提交时间：2010/04/13
Growth and characterization of InAsSb alloys by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文  OAI收割
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 320-323
作者:  Yan Jun-Feng;  Wang Tao;  Wang Jing-Wei;  Zhang Zhi-Yong;  Zhao Wu
收藏  |  浏览/下载：214/7  |  提交时间：2010/01/12
Mocvd growth of inn using a gan buffer 期刊论文  iSwitch采集
Superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85
作者:  Wang, L. L.;  Wang, H.;  Chen, J.;  Sun, X.;  Zhu, J. J.
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12
The influence of aln/gan superlattice intermediate layer on the properties of gan grown on si(111) substrates 期刊论文  iSwitch采集
Chinese physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 5, 页码: 1467-1471
作者:  Liu Zhe;  Wang Xiao-Liang;  Wang Jun-Xi;  Hu Guo-Xin;  Guo Lun-Chun
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12