机构

• 半导体研究所 [5]
• 上海微系统与信息技术... [2]

采集方式

• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2001 [1]
• 2000 [3]
• 1999 [3]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [2]
• Chemistry,... [1]
• Materials ... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Substrate dependence of InGaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 197-201 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：113/6  |  提交时间：2010/08/12 ORIENTED GAAS  INAS ISLANDS  HIGH-INDEX  SURFACES  TEMPERATURE  TOPOGRAPHY  STRAIN  LASER   The effect of substrate orientation on the morphology of InAs nanostructures on (001) and (11n)A/B(n=1-5) InP substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 high-index InP substrate  In(Ca)As nanostructures  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INGAAS QUANTUM DOTS  ORIENTED GAAS  OPTICAL CHARACTERIZATION  ISLANDS   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 134-140 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS   Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文  OAI收割 50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/15 quantum dots  high index  molecular beam epitaxy  photoluminescence  SURFACE SEGREGATION  ORIENTED GAAS  INGAAS  ISLANDS  WELLS  DISKS   Preparation and characterization of MgO thin films by a novel sol-gel method 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF SOL-GEL SCIENCE AND TECHNOLOGY, 1999, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 277-281 Fu, XR; Song, ZT; Wu, GM; Huang, JP; Duo, XZ; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/03/25 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  ORIENTED PBTIO3  BUFFER LAYERS  GROWTH  SI(100)  GAAS  SUBSTRATE  OXIDE  SI   Preparation and characterization of MgO thin films by a simple nebulized spray pyrolysis technique 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 223-228 Fu, XR; Wu, GM; Song, SG; Song, ZT; Duo, XZ; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/25 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MICROSTRUCTURAL CHARACTERIZATION  ORIENTED PBTIO3  BUFFER LAYERS  GROWTH  SI(100)  GAAS   Structural and optical characteristics of self-organized InAs quantum dots grown on GaAs (3 1 1)A substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 1-2, 页码: 70-76 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 InAs quantum dots  self-assembly  molecular beam epitaxy  GaAs (3 1 1)A  photoluminesence  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THERMAL-ACTIVATION  LOCALIZED EXCITONS  ORIENTED GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY