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• 新疆理化技术研究所 [3]
• 长春光学精密机械与物... [1]
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采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2019 [1]
• 2013 [1]
• 2009 [1]
• 2004 [1]
• 1983 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52 作者:  孙静;  郭旗;  郑齐文;  崔江维;  何承发   |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2020/01/03 辐照传感器  基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管  剂量计   铁掺杂对不同导电类型硅材料电阻率的影响 期刊论文  OAI收割 电子元件与材料, 2013, 卷号: 32, 期号: 7, 页码: 10-13 作者:  周步康;  范艳伟;  陈朝阳   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/11/06 P型硅  N型硅  深能级杂质  Fe  电阻率  补偿度   纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式OLED的研究 期刊论文  OAI收割 光子学报, 2009, 期号: 4 作者:  刘星元 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/09/25 P型掺杂纳米硅薄膜  聚合物有机电致发光器件  微腔   高补偿硅的光敏感特性 期刊论文  OAI收割 电子元件与材料, 2004, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 20-22 作者:  张建;  巴维真;  陈朝阳;  丛秀云;  陶明德 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/11/29 p型单晶硅  掺杂锰  高补偿硅  光敏感特性   变换工艺条件对C.V.D法制得的多晶硅薄膜电阻率及其剖面分布的影响 期刊论文  OAI收割 太阳能学报, 1983, 卷号: 4, 期号: 3, 页码: 325-329 韩桂林; 王岚; 刘连元 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2012/06/15 电阻率剖面  p型  成膜温度  面电阻率  剖面分布  n型  多晶硅薄膜  变换工艺