机构

• 半导体研究所 [3]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2019 [1]
• 2002 [1]
• 1999 [2]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The Novel of n-p-n Type Transition in the ZnSe/Ge Heterojunction Nanowire: First Principles Study 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 5847-5853 作者:  Huang Jiujun;  Xing Huaizhong;  Huang Yan(第三作者);  Wang Chunrui;  Chen Xiaoshuang   |  收藏  |  浏览/下载：307/0  |  提交时间：2019/11/13 n-p Type Transition  ZnSe/Ge Nanowire  Electronic  Structure Property   Photoluminescence and capacitance transients in highly Mg-doped GaN 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2002, 卷号: 75, 期号: 3, 页码: 441-444 Lu L; Yang CL; Yan H; Yang H; Wang Z; Wang J; Ge W 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  BAND  LUMINESCENCE  ZNSE   Photoluminescence properties of nitrogen-doped ZnSe epilayers 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 1999, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 13-18 Zhu ZM; Liu NZ; Li GH; Han HX; Wang ZP; Wang SZ; He L; Ji RB; Wu Y 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 ZnSe : N  photoluminescence  hound exciton  P-TYPE ZNSE  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASER-DIODES  LUMINESCENCE  ACCEPTORS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Quantitative analysis of excitonic photoluminescence in nitrogen-doped ZnSe epilayers 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 3, 页码: 1775-1779 Zhu ZM; Li GH; Liu NZ; Wang SZ; Han HX; Wang ZP 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE ZNSE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  EXCITATION SPECTROSCOPY  LASER-DIODES  ACCEPTORS  GROWTH