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机构
半导体研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [4]
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2006 [5]
1999 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
筛选
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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条数/页:
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Selective growth of inas islands on patterned gaas (100) substrate
期刊论文
iSwitch采集
Superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 446-453
作者:
Cui, CX
;
Chen, YH
;
Ren, YY
;
Xu, B
;
Jin, P
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
Patterned substrate
Molecular beam epitaxy
Quantum dots
Inas
Gaas
Ingaas
Selective growth of InAs islands on patterned GaAs (100) substrate
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 446-453
作者:
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:103/0
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提交时间:2010/04/11
patterned substrate
molecular beam epitaxy
quantum dots
InAs
GaAs
InGaAs
ASSEMBLED QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
FABRICATION
Study of nucleation positions of InAs islands on stripe-patterned GaAs(100) substrate
期刊论文
OAI收割
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 43-47
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:91/0
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提交时间:2010/04/11
patterned substrate
GaAs
molecular beam epitaxy
nucleation positions
ASSEMBLED QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GE ISLANDS
GROWTH
SURFACE
ARRAYS
Study of nucleation positions of inas islands on stripe-patterned gaas(100) substrate
期刊论文
iSwitch采集
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 43-47
作者:
Cui, CX
;
Chen, YH
;
Jin, P
;
Xu, B
;
Ren, YY
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2019/05/12
Patterned substrate
Gaas
Molecular beam epitaxy
Nucleation positions
Porous InP array-directed assembly of InAs nanostructure
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 26, 页码: art.no.263107
作者:
Li L
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/04/11
BEAM EPITAXIAL-GROWTH
QUANTUM DOTS
RADIATIVE RECOMBINATION
PATTERNED GAAS
SURFACE
STATES
GE
Self-limiting MBE growth and characterization of three-dimensionally confined nanostructures on patterned GaAs(311)A substrates
期刊论文
OAI收割
journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-5
Niu ZC
;
Notzel R
;
Jahn U
;
Schonherr HP
;
Fricke J
;
Ploog KH
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浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2010/08/12
high-index substrates
molecular beam epitaxy (MBE)
patterned growth
three-dimensionally confined nanostructures
SIDEWALL QUANTUM WIRES
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY