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浏览/检索结果: 共261条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Metastable monoclinic [110] layered perovskite Dy2Ti2O7 thin films for ferroelectric applications 期刊论文  OAI收割 RSC ADVANCES, 2019, 卷号: 9, 期号: 35, 页码: 19895-19904 作者:  Pravarthana, D.;  Lebedev, O. I.;  David, A.;  Fouchet, A.;  Trassin, M.   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/18 COMBINATORIAL SUBSTRATE EPITAXY  RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY  PHASE  BOUNDARIES  LA2TI2O7  ORIENTATION  GROWTH   Liquid phase epitaxy growth and photoluminescence of InAs(1-x-y)Sb(x)P(y)epilayer 期刊论文  OAI收割 MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2019, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 85912 作者:  Xie Hao;  Lin Hongyu;  Wang Yang;  Lu Hongbo;  sun yan   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/11/13 semiconducting quaternary compounds  liquid phase epitaxy  high resolution x-ray diffraction  Room temperature photoluminescence   Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文  OAI收割 Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2020/08/24 van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics   AlGaN photonics_recent advances in materials and ultraviolet devices 期刊论文  OAI收割 Advances in Optics and Photonics, 2018, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 43-110 作者:  Li, D. B.;  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Guo, C. L.   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/09/17 light-emitting-diodes  high-quality aln  temperature  stimulated-emission  2nd-order optical-response  atomic-layer epitaxy  vapor-phase epitaxy  z-scan measurement  p-type conduction  room-temperature  avalanche photodiodes  Optics   The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728 作者:  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. N.   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/09/17 light-emitting-diodes  screw dislocations  threading dislocations  phase  epitaxy  gan  films  algan  core  edge  generation  Chemistry  Crystallography   The nucleation and growth mechanism of Ni-Sn eutectic in a single crystal superalloy 期刊论文  OAI收割 ELSEVIER SCIENCE BV, 2017, 卷号: 479, 页码: 75-82 作者:  Jiang, Weiguo;  Wang, Li;  Li, Xiangwei;  Lou, Langhong;  Jiang, WG (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Met Res, Shenyang 110016, Liaoning, Peoples R China.   |  收藏  |  浏览/下载：223/0  |  提交时间：2018/01/10 Crystal Structure  Growth From Melt  Solid Phase Epitaxy  Alloys   n-VO2/p-GaN based nitride-oxide heterostructure with various thickness of VO2 layer grown by MBE 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 卷号: 389, 页码: 199-204 作者:  Wang, Minhuan;  Bian, Jiming;  Sun, Hongjun;  Liu, Weifeng;  Zhang, Yuzhi 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2017/02/24 Vanadium oxide  p-GaN  Molecular beam epitaxy  Phase transition   Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55 作者:  Zhou, K(周堃);  Ikeda, M;  Liu, JP(刘建平);  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2015/02/03 Growth models  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7 作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/31 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Progress in bulk GaN growth 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 16 作者:  Xu, K(徐科);  Wang, JF(王建峰);  Ren, GQ(任国强) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2015/12/31 nitride semiconductor  bulk GaN  hydride vapor phase epitaxy (HVPE)  dislocation