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机构
半导体研究所 [5]
长春光学精密机械与物... [1]
采集方式
iSwitch采集 [3]
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2019 [1]
2011 [2]
2009 [2]
2007 [1]
学科主题
光电子学 [1]
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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条数/页:
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Static and Dynamic Characteristics of In(AsSb)/GaAs Submonolayer Lasers
期刊论文
OAI收割
Ieee Journal of Quantum Electronics, 2019, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 7
作者:
D.Quandt
;
D.Arsenijevic
;
A.Strittmatte
;
D.H.Bimberg
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2020/08/24
Submonolayer (SML),quantum dot (QD),laser diode,high-speed modulation,quantum-well lasers,dot lasers,gain,threshold,Engineering,Physics,Optics
1.3-mu m in(ga)as quantum-dot vcsels fabricated by dielectric-free approach with surface-relief process
期刊论文
iSwitch采集
Ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93
作者:
Xu, D. W.
;
Yoon, S. F.
;
Ding, Y.
;
Tong, C. Z.
;
Fan, W. J.
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/05/12
Dielectric-free approach
Quantum dot (qd)
Surface-relief technique
Vertical-cavity surface-emitting lasers (vcsels)
1.3-mu m In(Ga)As Quantum-Dot VCSELs Fabricated by Dielectric-Free Approach With Surface-Relief Process
期刊论文
OAI收割
ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 91-93
Xu DW
;
Yoon SF
;
Ding Y
;
Tong CZ
;
Fan WJ
;
Zhao LJ
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浏览/下载:121/2
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提交时间:2011/07/05
Dielectric-free approach
quantum dot (QD)
surface-relief technique
vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)
EMITTING LASERS
High-temperature continuous-wave single-mode operation of 1.3 mu m p-doped inas-gaas quantum-dot vcsels
期刊论文
iSwitch采集
Ieee photonics technology letters, 2009, 卷号: 21, 期号: 17, 页码: 1211-1213
作者:
Xu, D. W.
;
Yoon, S. F.
;
Tong, C. Z.
;
Zhao, L. J.
;
Ding, Y.
收藏
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2019/05/12
Quantum dot (qd)
Single-mode
Thermal stability
Threshold current
Vertical-cavity surface-emitting lasers (vcsels)
High-Temperature Continuous-Wave Single-Mode Operation of 1.3 mu m p-Doped InAs-GaAs Quantum-Dot VCSELs
期刊论文
OAI收割
ieee photonics technology letters, 2009, 卷号: 21, 期号: 17, 页码: 1211-1213
Xu DW
;
Yoon SF
;
Tong CZ
;
Zhao LJ
;
Ding Y
;
Fan WJ
收藏
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浏览/下载:123/2
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提交时间:2010/03/08
Quantum dot (QD)
single-mode
thermal stability
threshold current
vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs)
Effect of inter-level relaxation and cavity length on double-state lasing performance of quantum dot lasers
期刊论文
iSwitch采集
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2007, 卷号: 39, 期号: 2, 页码: 203-208
作者:
Shi, L. W.
;
Chen, Y. H.
;
Xu, B.
;
Wang, Z. C.
;
Wang, Z. G.
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提交时间:2019/05/12
Rate equation model
Inter-level relaxation
Double-state lasing
Qd lasers