机构

• 半导体研究所 [4]
• 物理研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2011 [1]
• 2004 [1]
• 2002 [2]
• 1998 [3]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• Engineerin... [1]
• Physics, M... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaN grown with InGaN as a weakly bonded layer 期刊论文  OAI收割 crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585 作者:  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：70/4  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI(001) SUBSTRATE  STRAIN  EPITAXY   Anodic-aluminium-oxide template-assisted growth of ZnO nanodots on Si (100) at low temperature 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 1327-1329 Xu, TN; Wu, HZ; Lao, YF; Qiu, DJ; Chen, NB; Dai, N 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 OPTICAL-PROPERTIES  QUANTUM DOTS  NANOWIRES  EMISSION  FILMS  SUBSTRATE  SAPPHIRE  NANORODS  SI(001)   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文  OAI收割 SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: #REF! 作者:  Sun, YP;  Fu, Y;  Qu, B;  Wang, YT;  Feng, ZH 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/04/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：101/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   Fabrication of gan epitaxial films on al2o3/si (001) substrates 期刊论文  iSwitch采集 Science in china series e-technological sciences, 1998, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 203-207 作者:  Wang, LS;  Liu, XG;  Zan, YD;  Wang, D;  Wang, J 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Fabrication of gan epitaxial films  Al2o3/si(001) substrate  Metalorganic chemical deposition  Crystal structure and surface morphology  Photoluminescence spectrum   Growth and polarization features of highly (100) oriented Pb(Zr0.53Ti0.47)O-3 films on Si with ultrathin SiO2 buffer layer 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1998, 卷号: 73, 期号: 19, 页码: 2781 Lin, Y; Zhao, BR; Peng, HB; Xu, B; Chen, H; Wu, F; Tao, HJ; Zhao, ZX; Chen, JS 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/17 THIN-FILMS  SUBSTRATE  SI(001)   Fabrication of GaN epitaxial films on Al2O3/Si (001) substrates 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 1998, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 203-207 Wang LS; Liu XG; Zan YD; Wang D; Wang J; Lu DC; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 fabrication of GaN epitaxial films  Al2O3/Si(001) substrate  metalorganic chemical deposition  crystal structure and surface morphology  photoluminescence spectrum  GROWTH  DIODES  BUFFER LAYER