机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2000 [2]
• 1999 [1]
• 1998 [2]
• 1997 [1]

学科主题

• 半导体材料 [5]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465 Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 Si growth rate  P doping  PH3 flow rate  P segregation  GSMBE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SI1-XGEX  PHOSPHORUS  SI2H6  DISILANE  SI(100)  MBE   A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249 Yu Z; Li DZ; Cheng BW; Huang CJ; Lei ZL; Yu JZ; Wang QM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 SiGe/Si  epitaxial growth  surface reaction kinetics  UHV/CVD system  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  ATOMIC-HYDROGEN  ADSORPTION  SI(100)  SI2H6  SIH4  MECHANISMS  DESORPTION  PHASE  FILMS   Enhanced hydrogen desorption from Si sites during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6920-6922 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 GAS-SOURCE MBE  KINETICS  ADSORPTION  SILICON  SI(100)  MECHANISM  SI2H6  PHASE  FILMS   Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 Liu JP; Kong MY; Li JP; Liu XF; Huang DD; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 Si1-xGex alloys  low temperature epitaxy  desorption  adsorption  surface morphology  growth kinetics  HYDROGEN DESORPTION  SI(100)  SI  SURFACTANT  GERMANIUM  MECHANISM  KINETICS  ALLOYS  SI2H6  GAS-SOURCE MBE   Structural characterization of SiGe/Si single wells grown by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy with varied disilane cracking temperature 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 3-4, 页码: 426-429 Liu JP; Kong MY; Huang DD; Li JP; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  SiGe/Si  disilane cracking  dynamic simulation  PHOTOLUMINESCENCE  SILICON  LAYERS  SI2H6  DISORDERED SUPERLATTICES   Ge composition saturation behavior during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 4, 页码: 441-445 Liu JP; Liu XF; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/11/17 Si1-xGex alloys  low-temperature epitaxy  composition dependence  growth kinetics  GAS-SOURCE MBE  SI2H6  SEGREGATION  DEPENDENCE  KINETICS  FILMS