机构

• 物理研究所 [3]
• 半导体研究所 [2]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2005 [1]
• 2004 [2]
• 1998 [3]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Atomistic study of GaN surface grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 3 Wang, ZT; Yamada-Takamura, Y; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE CRYSTALLINE GAN  INVERSION DOMAINS  GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE  HETEROEPITAXIAL GROWTH  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYER  POLARITY  RECONSTRUCTIONS  MORPHOLOGY   Low-temperature synthesis and characterization of GaN nanocrystals from gallium trichloride precursor 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Research, 2004, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 3484-3489 F. S. Liu; Q. L. Liu; J. K. Liang; G. B. Song; L. T. Yang; J. Luo; Y. Q. Zhou; H. W. Dong; G. H. Rao 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/04/14 chemical-vapor-deposition  single-crystalline gan  raman-scattering  phase epitaxy  thin-films  nitride  layers  nanowires  electron  nitrogen   Low-temperature synthesis and characterization of GaN nanocrystals from gallium trichloride precursor 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 2004, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 3484 Liu, FS; Liu, QL; Liang, JK; Song, GB; Yang, LT; Luo, J; Zhou, YQ; Dong, HW; Rao, GH 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/18 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  SINGLE-CRYSTALLINE GAN  RAMAN-SCATTERING  PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  NITRIDE  LAYERS  NANOWIRES  ELECTRON  NITROGEN   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484 Wang, LS; Liu, XL; Zan, YD; Wang, D; Lu, DC; Wang, ZG; Wang, YT; Cheng, LS; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MOVPE growth  Al2O3 coated Si substrate  crystal structure  photoluminescence spectrum  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Wurtzite GaN epitaxial growth on a Si(001) substrate using gamma-Al2O3 as an intermediate layer 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 1, 页码: 109-111 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang J; Wang D; Lu DC; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 SINGLE CRYSTALLINE GAN  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  THIN-FILMS  GALLIUM NITRIDE  001 SILICON  SAPPHIRE  SI  DEPOSITION  ALN