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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Epitaxial growth of Ge1-xSnx films with x up to 0.14 grown on Ge (00l) at low temperature 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2014, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 88112 作者:  Tao, P;  Huang, L;  Cheng, HH;  Wang, HH;  Wu, XS;王焕华 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2016/04/08 GeSn films  high resolution X-ray diffraction  fully-strained  Raman measurements   Quantitative Model of Heterogeneous Nucleation and Growth of SiGe Quantum Dot Molecules 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2012, 卷号: 109, 期号: 10 Hu, H; Gao, HJ; Liu, F 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/24 SELF-ASSEMBLED NANOHOLES  SURFACE-MORPHOLOGY  STRAINED ISLANDS  EVOLUTION  EPITAXY  STRESS  LAYERS  FILMS  SHAPE   Unified phase-field model for epitaxial growth of multi-scale three-dimensional islands on insulating surfaces 期刊论文  OAI收割 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2009, 卷号: 404, 期号: 21, 页码: 4303 Xu, YC; Liu, BG 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2013/09/23 ADAPTIVE MESH REFINEMENT  DENDRITIC GROWTH  STRAINED ISLANDS  TIO2(110)  SOLIDIFICATION  COMPUTATION  NUCLEATION  TRANSITION  CLUSTERS  FILMS   Thermal annealing effects on the structure and electrical properties of Al2O3 gate dielectrics on fully depleted SiGe on insulator 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2006, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 1151-1155 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Shen, QW; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  ATOMIC-LAYER DEPOSITION  INTERFACIAL CHARACTERISTICS  STRAINED-SI  THIN-FILMS  ULTRATHIN  SILICON  HETEROSTRUCTURE  OXIDATION  CHANNEL   Dislocation filtering techniques for MBE large mismatched heteroepitaxy 期刊论文  OAI收割 PHYSICS AND APPLICATIONS OF SEMICONDUCTOR QUANTUM STRUCTURES, 2001, 页码: 88 Zhou, JM; Huang, Q; Chen, H; Peng, CS 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAINED-LAYER SUPERLATTICES  VAPOR-PHASE EPITAXY  CUBIC GAN  ELECTRON-MICROSCOPY  GALLIUM NITRIDE  BUFFER LAYERS  THIN-FILMS  001 GAAS  GROWTH   Evolution of island-pit surface morphologies of InAs epilayers grown on GaAs (001) substrates 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 89, 期号: 7, 页码: 3700 Li, JH; Moss, SC; Han, BS; Mai, ZH 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INGAAS QUANTUM DOTS  STRAINED FILMS  NUCLEATION  LAYERS  UNIFORMITY  MECHANISMS  RELAXATION  SIZE   Confinement and electron-phonon interactions of the E-1 exciton in self-organized Ge quantum dots 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 1999, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 4980 Kwok, SH; Yu, PY; Tung, CH; Zhang, YH; Li, MF; Peng, CS; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/17 STRAINED-LAYER SUPERLATTICES  SI/GE SUPERLATTICES  FILMS   Growth of high-quality relaxed In0.3Ga0.7As/GaAs superlattices 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1997, 卷号: 181, 期号: 3, 页码: 297-300 Pan D; Zeng YP; Wu J; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 MBE growth  strained superlattice  EPITAXIAL MULTILAYERS  MISFIT DISLOCATIONS  LAYERS  RELAXATION  DEFECTS  STRAIN  FILMS