机构

• 金属研究所 [1]
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采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2019 [1]
• 2018 [1]
• 2015 [2]

学科主题

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• Nanoscienc... [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Hybrid graphene heterojunction photodetector with high infrared responsivity through barrier tailoring 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 30, 期号: 19, 页码: 7 作者:  Zhou, Quan;  Shen, Jun;  Liu, Xiangzhi;  Li, Zhancheng;  Jiang, Hao   |  收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2019/03/25 graphene  silicon  Schottky junction  barrier height  infrared photodetector   Enhancing the Photovoltage of Ni/n-Si Photoanode for Water Oxidation through a Rapid Thermal Process 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 8594, 8598 作者:  Li, Shengyang;  She, Guangwei;  Chen, Cheng;  Zhang, Shaoyang;  Mu, Lixuan   |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2018/12/28 Ni/n-Si photoanode  water oxidation  interface states  Schottky barrier height  photovoltage   The study of interaction and charge transfer at black phosphorus-metal interfaces 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 48, 期号: 44, 页码: - Zhu, Sicong; Ni, Yun; Liu, Juan; Yao, Kailun 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2016/04/21 two dimensional (2D)  black phosphorus (BP)  Schottky barrier height (SBH)   Graphene-GaN Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 NANO RESEARCH, 2015, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 1327-1338 作者:  Kim Seongjun;  Seo Tae Hoon;  Kim Myung Jong;  Song Keun Man;  Suh EunKyung   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/12/13 LIGHT-EMITTING-DIODES  N-TYPE GAN  THERMIONIC-FIELD-EMISSION  SENSITIZED SOLAR-CELLS  CONTACT RESISTANCE  BARRIER HEIGHT  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  TRANSPARENT ELECTRODES  RAMAN-SPECTROSCOPY  METAL CONTACTS  graphene  GaN  Schottky diode  Schottky barrier height  Fermi level pinning