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采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2019 [2]
2010 [3]
学科主题
Physics [1]
光电子学 [1]
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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Infrared Photodetector Based on the Photothermionic Effect of Graphene-Nanowall/Silicon Heterojunction
期刊论文
OAI收割
ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 19, 页码: 17663-17669
作者:
Liu, Xiangzhi
;
Zhou, Quan
;
Luo, Shi
;
Du, Haiwei
;
Cao, Zhensong
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2019/06/24
graphene
nanoparticle
photodetector
hot electron
Schottky barrier
thermionic emission
Hybrid graphene heterojunction photodetector with high infrared responsivity through barrier tailoring
期刊论文
OAI收割
NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 30, 期号: 19, 页码: 7
作者:
Zhou, Quan
;
Shen, Jun
;
Liu, Xiangzhi
;
Li, Zhancheng
;
Jiang, Hao
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2019/03/25
graphene
silicon
Schottky junction
barrier height
infrared photodetector
Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
OAI收割
Chinese Physics B, 2010, 期号: 5, 页码: 571-574
作者:
Zhao DG(赵德刚)
;
Zhang S(张爽)
;
Liu WB(刘文宝)
;
Hao XP(郝小鹏)
;
Jiang DS(江德生)
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2015/12/25
Ga vacancies
MOCVD
GaN
Schottky barrier photodetector
Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 57802
作者:
Zhao, DG
;
Zhang, S
;
Liu, WB
;
Hao, XP
;
Jiang, DS
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2016/06/29
Ga vacancies
MOCVD
GaN
Schottky barrier photodetector
Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: art. no. 057802
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Liu WB (Liu Wen-Bao)
;
Hao XP (Hao Xiao-Peng)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Wei L (Wei Long)
收藏
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提交时间:2010/05/24
Ga vacancies
MOCVD
GaN
Schottky barrier photodetector
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