机构

• 半导体研究所 [5]
• 力学研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [4]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2006 [2]
• 2005 [1]
• 2004 [3]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electrical properties of undoped in0.53ga0.47as grown on inp substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 291-293 作者:  Cui, L. J.;  Zeng, Y. P.;  Wang, B. Q.;  Zhu, Z. P. 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Characterization  Point defects  Molecular beam epitaxy  Semiconducting gallium compounds  Semiconducting indium compounds  Semiconducting ternary compounds   Electrical properties of undoped In0.53Ga0.47As grown on InP substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 291-293 Cui LJ (Cui L. J.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Wang BQ (Wang B. Q.); Zhu ZP (Zhu Z. P.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/04/11 characterization  point defects  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium compounds  semiconducting indium compounds  semiconducting ternary compounds  1.55 MU-M  QUANTUM-WELLS  TEMPERATURE  GAAS   Gal(1-x)mn(1-x)sb grown on gasb with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 272-275 作者:  Chen, CL;  Chen, NF;  Liu, LF;  Wu, JL;  Liu, ZK 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Ion beam epitaxy  Semiconducting ternary compounds   Liquid phase epitaxy of al0.3ga0.7as islands 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 38-41 作者:  Sun, J;  Hu, LZ;  Sun, YC;  Wang, ZY;  Zhang, HZ 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Crystal morphology  Liquid phase epitaxy  Alloys  Semiconducting ternary compounds   Ga1-xmnxsb grown on gasb substrate by liquid phase epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 50-53 作者:  Chen, CL;  Chen, NF;  Liu, LF;  Li, YL;  Wu, JL 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Liquid phase epitaxy  Semiconducting ternary compounds   Ga1-xMnxSb grown on GaSb substrate by liquid phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 50-53 作者:  Chen CL;  Chen NF(陈诺夫);  Liu LF;  Li YL;  Wu JL 收藏  |  浏览/下载：886/62  |  提交时间：2009/08/03 X-Ray Diffraction  Liquid Phase Epitaxy  Semiconducting Ternary Compounds