机构

• 半导体研究所 [4]
• 金属研究所 [2]
• 物理研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [7]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [7]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2022 [2]
• 2009 [2]
• 2006 [1]
• 2003 [2]
• 1998 [1]

学科主题

• 光电子学 [2]
• Engineerin... [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High photodetection performance on vertically oriented topological insulator Sb2Te3/Silicon heterostructure 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY, 2022, 卷号: 315, 页码: 6 作者:  Li, Mingze;  Wang, Zhenhua;  Han, Dan;  Shi, Xudong;  Li, Tingting   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2023/05/09 Topological insulators  Sb 2 Te 3  Si heterostructure  Vertically aligned nanoplates  High surface -to -bulk ratio  Photoelectric property   High photodetection performance on vertically oriented topological insulator Sb2Te3/Silicon heterostructure 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY, 2022, 卷号: 315, 页码: 6 作者:  Li, Mingze;  Wang, Zhenhua;  Han, Dan;  Shi, Xudong;  Li, Tingting   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2023/05/09 Topological insulators  Sb 2 Te 3  Si heterostructure  Vertically aligned nanoplates  High surface -to -bulk ratio  Photoelectric property   Photoluminescence from heterogeneous sige/si nanostructures prepared via a two-step approach strategy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077 作者:  Zhou, Bi;  Pan, Shuwan;  Chen, Songyan;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/05/12 Heterostructure  Nanostructure  Porous si  Porous sige  Photoluminescence   Photoluminescence from heterogeneous SiGe/Si nanostructures prepared via a two-step approach strategy 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077 Zhou B; Pan SW; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu JZ; Zhu XF 收藏  |  浏览/下载：100/3  |  提交时间：2010/03/08 Heterostructure  Nanostructure  Porous Si  Porous SiGe  Photoluminescence   Thermal annealing effects on the structure and electrical properties of Al2O3 gate dielectrics on fully depleted SiGe on insulator 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2006, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 1151-1155 Di, ZF; Zhang, M; Liu, WL; Shen, QW; Luo, SH; Song, ZT; Lin, CL; Chu, PK 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  ATOMIC-LAYER DEPOSITION  INTERFACIAL CHARACTERISTICS  STRAINED-SI  THIN-FILMS  ULTRATHIN  SILICON  HETEROSTRUCTURE  OXIDATION  CHANNEL   Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416 Hu, GQ; Kong, X; Wan, L; Wang, YQ; Duan, XF; Lu, Y; Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2013/09/18 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  ELECTRON-DIFFRACTION  DEFECT STRUCTURE  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY  (111)SI  LAYER   Microstructure of GaN films grown on Si(111) substrates by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 416-423 Hu GQ; Kong X; Wan L; Wang YQ; Duan XF; Lu Y; Liu XL 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous layer  dislocation  transmission electron microscopy  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-QUALITY GAN  HETEROEPITAXIAL GROWTH  ELECTRON-DIFFRACTION  DEFECT STRUCTURE  HETEROSTRUCTURE  DISLOCATIONS  MICROSCOPY  (111)SI  LAYER   A study on GaP/Si heterostructures grown by GS-MBE 会议论文  OAI收割 conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998 Yu JZ; Chen BW; Yu Z; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/10/29 GaP/Si heterostructure  GS-MBE  lattice match  X-ray double crystal diffraction  photoluminescence (PL)