机构

• 半导体研究所 [6]
• 金属研究所 [5]
• 福建物质结构研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [10]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [12]

发表日期

• 2010 [1]
• 1999 [5]
• 1998 [3]
• 1997 [2]
• 1996 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The Transition between Conformal Atomic Layer Epitaxy and Nanowire Growth 期刊论文  OAI收割 Journal of the American Chemical Society, 2010, 卷号: 132, 期号: 22, 页码: 7592-+ R. B. Yang, N. Zakharov, O. Moutanabbir, K. Scheerschmidt, L. M. Wu, U. Gosele, J. Bachmann and K. Nielsch 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/11/02 molecular-beam epitaxy  low-temperature  core-shell  semiconductor  nanowires  silicon nanowires  gaas nanowires  vls growth  heterostructures  nanorods  si   High phosphorous doping and morphological evolution during si growth by gas source molecular beam epitaxy (gsmbe) 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/05/12 Si low-temperature epitaxy  P doping  Surface morphology  Morphological evolution   High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/02/02 Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution   High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/02/02 Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution   High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 作者:  Liu, JP;  Huang, DD;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/02/02 Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution   High phosphorous doping and morphological evolution during Si growth by gas source molecular beam epitaxy (GSMBE) 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 200, 期号: 3-4, 页码: 613-616 Liu JP; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 Si low-temperature epitaxy  P doping  surface morphology  morphological evolution  DEPOSITION   Low-temperature growth properties of si1-xgex by disilane and solid-ge molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 作者:  Liu, JP;  Kong, MY;  Li, JP;  Liu, XF;  Huang, DD 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 Si1-xgex alloys  Low temperature epitaxy  Desorption  Adsorption  Surface morphology  Growth kinetics   Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 作者:  Liu, JP;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2021/02/02 Si1-xGex alloys  low temperature epitaxy  desorption  adsorption  surface morphology  growth kinetics   Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 Liu JP; Kong MY; Li JP; Liu XF; Huang DD; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 Si1-xGex alloys  low temperature epitaxy  desorption  adsorption  surface morphology  growth kinetics  HYDROGEN DESORPTION  SI(100)  SI  SURFACTANT  GERMANIUM  MECHANISM  KINETICS  ALLOYS  SI2H6  GAS-SOURCE MBE   Ge composition saturation behavior during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 181, 期号: 4, 页码: 441-445 作者:  Liu, JP;  Liu, XF;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/02/02 Si1-xGex alloys  low-temperature epitaxy  composition dependence  growth kinetics