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• OAI收割 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2019 [1]
• 2016 [1]
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学科主题

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Deformation induced new pathways in silicon 期刊论文  OAI收割 NANOSCALE, 2019, 卷号: 11, 期号: 20, 页码: 9862-9868 作者:  Zhang, Zhenyu;  Cui, Junfeng;  Chang, Keke;  Liu, Dongdong;  Chen, Guoxin   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/12/18 PLASTICITY  SI  TRANSITION  WAFERS   Facile patterning silicon wafer by Rochow reaction over patterned Cu-based catalysts 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2016, 卷号: 360, 期号: JAN, 页码: 192-197 作者:  Ren, Wenfeng;  Wang, Yanhong;  Zhang, Zailei;  Tan, Qiangqiang;  Zhong, Ziyi 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/02/02 Si wafers  Direct-pattern  Rochow reaction  Copper catalysts  CH3Cl   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215 Dong, HW; Zhao, YW; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/17 SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE   Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218 Dong HW; Zhao YW; Li JM 收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating InP  ion implantation  silicon  annealing  activation  SI+-IMPLANTATION  PHOSPHIDE VAPOR  UNDOPED INP  FE  WAFERS  UNIFORMITY  PRESSURE   Photoluminescence enhancement of porous silicon by organic cyano compounds 期刊论文  OAI收割 journal of physical chemistry b, 1998, 卷号: 102, 期号: 41, 页码: 7978-7982 Yin F; Xiao XR; Li XP; Zhang ZZ; Zhang BW; Cao Y; Li GH; Wang ZP 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 SI  LUMINESCENCE  EMISSION  SURFACE  WAFERS   Relation between electroluminescence and photoluminescence of Si+-implanted SiO2 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1997, 卷号: 82, 期号: 8, 页码: 4028-4032 Song, HZ; Bao, XM; Li, NS; Zhang, JY 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/25 POROUS SILICON  VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  ROOM-TEMPERATURE  CRYSTALLINE SI  LUMINESCENCE  SIO2-FILMS  GLASS  DEFECTS  WAFERS  FILMS   CHARACTERIZATION OF GDBA2CU3O7-X SUPERCONDUCTING THIN-FILMS BY A NEW OPTICAL INTERFERENCE FRINGE METHOD 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 1994, 卷号: 29, 期号: 14, 页码: 3702 MAI, ZH; DAI, DY; WANG, RL; YI, HR; WANG, CA; Li, HC; LU, TJ; LI, L; OGAWA, T 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/17 EPITAXIAL LAYERS  SI WAFERS