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浏览/检索结果: 共42条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 何超 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/06/02 Si 基发光器件  Ge/Si 量子点  Ge/SiGe 量子阱  Ge 薄膜   Hole Mobilities of Si/Si0.5Ge0.5 Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOI 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 卷号: 33, 期号: 6, 页码: 758-760 Yu, W; Zhang, B; Zhao, QT; Buca, D; Hartmann, JM; Luptak, R; Mussler, G; Fox, A; Bourdelle, KK; Wang, X; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/04/17 Hole mobility  quantum well (QW)  SiGe  strained Si (sSi)   Tunneling field-effect transistor with a strained Si channel and a Si0.5Ge0.5 source 期刊论文  OAI收割 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2012, 卷号: 74, 页码: 97-101 Zhao, QT; Yu, WJ; Zhang, B; Schmidt, M; Richter, S; Buca, D; Hartmann, JM; Luptak, R; Fox, A; Bourdelle, KK; Mantl, S 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/04/17 Tunnel FET  Strained Si  Subthreshold swing  SiGe   High-resolution electron microscopy of misfit dislocations in AlSb/GaAs (001) system 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2010, 卷号: 59, 期号: 3, 页码: 1928 Wen, C; Li, FH; Zou, J; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2013/09/17 IMAGE DECONVOLUTION  SIGE/SI HETEROSTRUCTURES  LOMER DISLOCATION  CORE STRUCTURE  INTERFACE  CONFIGURATION  DISSOCIATION  CRYSTALS  LATTICE  GROWTH   Photoluminescence from heterogeneous sige/si nanostructures prepared via a two-step approach strategy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077 作者:  Zhou, Bi;  Pan, Shuwan;  Chen, Songyan;  Li, Cheng;  Lai, Hongkai 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2019/05/12 Heterostructure  Nanostructure  Porous si  Porous sige  Photoluminescence   Photoluminescence from heterogeneous SiGe/Si nanostructures prepared via a two-step approach strategy 期刊论文  OAI收割 journal of luminescence, 2009, 卷号: 129, 期号: 9, 页码: 1073-1077 Zhou B; Pan SW; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu JZ; Zhu XF 收藏  |  浏览/下载：97/3  |  提交时间：2010/03/08 Heterostructure  Nanostructure  Porous Si  Porous SiGe  Photoluminescence   Study of valence intersubband absorption in tensile strained si/sige quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 3479-3483 作者:  Lin Gui-Jiang;  Lai Hong-Kai;  Li Cheng;  Chen Song-Yan;  Yu Jin-Zhong 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Si/sige  Tensile strain  Effective mass  Valence intersubband transition   Study of valence intersubband absorption in tensile strained Si/SiGe quantum wells 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 3479-3483 Lin GJ; Lai HK; Li C; Chen SY; Yu JZ 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/03/08 Si/SiGe   Low threading-dislocation-density Ge film on Si grown on a pitting Ge buffer layer 会议论文  OAI收割 5th ieee international conference on group iv photonics, sorrento, italy, sep 17-19, 2008 作者:  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：66/0  |  提交时间：2010/03/09 SIGE/SI(100) EPITAXIAL-FILMS   Studies of the thin oxide of epitaxial sige/si film by high resolution grazing angle rutherford backscattering spectrometry and channeling 期刊论文  iSwitch采集 Electronic materials letters, 2007, 卷号: 3, 期号: 2, 页码: 63-67 作者:  Chen, ChangChun;  Liu, Jiangfeng;  Yu, BenHai;  Zhu, DeZhang 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/04/23 Grazing angle rutherford backscattering spectrometry  Strain  Sige/si heterosystem