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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Transient Current Analysis of Silicon Carbide Neutron Detector Using SRIM and TCAD 期刊论文  OAI收割 IEEE SENSORS JOURNAL, 2022, 卷号: 22 作者:  Zhang, Lilong;  Wang, Ying;  Guo, Haomin;  Yu, Chenghao;  Hu, Haifan   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2022/12/23 Neutron detector  silicon carbide  transient current  charge collection  SRIM and TCAD   A Machine Learning Approach for Optimization of Channel Geometry and Source/Drain Doping Profile of Stacked Nanosheet Transistors 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2022, 页码: 7 作者:  Xu, Haoqing;  Gan, Weizhuo;  Cao, Lei;  Yang, Cheng;  Wu, Jiahao   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2022/12/07 Performance evaluation  Doping  Optimization  Geometry  Semiconductor process modeling  Training  Logic gates  Machine learning  multi-objective optimization (MOO)  nanosheet  technology computer-aided design (TCAD) simulation   An investigation of FinFET single-event latch-up characteristic and mitigation method 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 8 作者:  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Wu, Zhenyu;  Cai, Chang;  Zhao, Peixiong   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2021/12/13 TCAD  FinFET  SCR  SEL   电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真 期刊论文  OAI收割 数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150 作者:  魏莹;  文林;  李豫东;  郭旗   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/09/07 CMOS图像传感器  电离总剂量辐射效应  TCAD仿真   Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 95, 页码: 1-7 作者:  Ji, Qinggang;  Liu, Jie;  Li, Dongqing;  Liu, Tianqi;  Ye, Bing   |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2019/11/10 Ferroelectric random access memory  Total ionizing dose  Single event effect  TCAD simulation   Charge collection and non-ionizing radiation tolerance of CMOS pixel sensors using a 018 mu m CMOS process 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2016, 卷号: 831, 页码: 99-104 作者:  Zhang Y(张颖);  Zhu HB(朱宏博);  Zhang, Y;  Zhu, HB;  Zhang, L   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2017/07/27 CEPC vertex detector  CPS  TCAD simulation  Charge collection  Radiation damage   单粒子效应TCAD数值仿真的三维建模方法 期刊论文  OAI收割 核电子学与探测技术, 2013, 卷号: 33, 期号: 3, 页码: 289-295 陈睿; 纪冬梅; 封国强; 沈忱; 韩建伟 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2014/04/30 单粒子效应  数值仿真  TCAD 器件模型  几何效应  阱接触   SRAM单粒子效应评估方法研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院, 2010 陈善强 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2014/04/30 单粒子效应 TCAD三维模拟电荷分享 Geant4 在轨翻转率   两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究 期刊论文  OAI收割 科学通报, 2010, 期号: 19 魏星; 薛忠营; 武爱民; 王湘; 李显元; 叶斐; 陈杰; 陈猛; 张波; 林成鲁; 张苗; 王曦 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/01/06 相变存储器  驱动二极管  串扰电流  TCAD