机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• iSwitch采集 [3]
• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2010 [2]
• 2000 [4]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 High-saturation-power and high-speed ge-on-soi p-i-n photodetectors 期刊论文  iSwitch采集 Ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 701-703 作者:  Xue, Hai-Yun;  Xue, Chun-Lai;  Cheng, Bu-Wen;  Yu, Yu-De;  Wang, Qi-Ming 收藏  |   High-Saturation-Power and High-Speed Ge-on-SOI p-i-n Photodetectors 期刊论文  OAI收割 ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 7, 页码: 701-703 Xue HY (Xue Hai-Yun); Xue CL (Xue Chun-Lai); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Yu YD (Yu Yu-De); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |   A surface kinetics model for the growth of si1-xgex by uhv/cvd using sih4/ceh4 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249 作者:  Yu, Z;  Li, DZ;  Cheng, BW;  Huang, CJ;  Lei, ZL 收藏  |   Effect of low-temperature sige interlayer on the growth of relaxed sige 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 308-311 作者:  Li, DZ;  Huang, CJ;  Cheng, BW;  Wang, HJ;  Yu, Z 收藏  |   Effect of low-temperature SiGe interlayer on the growth of relaxed SiGe 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 3-4, 页码: 308-311 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |   A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249 Yu Z; Li DZ; Cheng BW; Huang CJ; Lei ZL; Yu JZ; Wang QM; Liang JW 收藏  |