机构

• 半导体研究所 [5]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2003 [2]
• 2002 [1]
• 2000 [3]

学科主题

• 半导体物理 [2]
• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type gaas surface studied by photoreflectance 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214 作者:  Jin, P;  Pan, SH;  Li, YG;  Zhang, CZ;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Sulfur passivation  Franz-keldysh oscillations  Undoped-n(+) type gaas  Complex fourier transformation   Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type GaAs surface studied by photoreflectance 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：475/3  |  提交时间：2010/08/12 sulfur passivation  Franz-Keldysh oscillations  undoped-n(+) type GaAs  complex Fourier transformation  FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS  GAAS(001) SURFACES  GAAS(100)  PHOTOEMISSION  SPECTROSCOPY  ENHANCEMENT   Positron-annihilation study of compensation defects in InP 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 1998-2001 Shan YY; Deng AH; Ling CC; Fung S; Ling CD; Zhao YW; Sun TN; Sun NF 收藏  |  浏览/下载：106/9  |  提交时间：2010/08/12 UNDOPED SEMIINSULATING INP  INDIUM-PHOSPHIDE  LIFETIME  VACANCY  MECHANISMS  ACCEPTOR  GROWTH  GAAS   Observation of EL2 and additional deep levels at low temperature in an AlGaAs/GaAs multiple-quantum-well structure 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 77, 期号: 5, 页码: 702 Zhang, YF; Zhuo, Q; Zhang, MH; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/24 BEAM-EPITAXIAL GAAS  SEMI-INSULATING GAAS  ELECTRON TRAP  UNDOPED GAAS  DEFECT   Theoretical analysis and experimental study of Fourier transformation of Franz-Keldysh oscillations in GaAs 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 11, 页码: 6429-6435 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 DELTA-DOPED GAAS  UNDOPED GAAS  PHOTOREFLECTANCE  FIELD  SPECTROSCOPY  MODULATION  ELECTROREFLECTANCE  SURFACE   The investigations on semi-insulating GaAs by surface photovoltaic spectroscopy 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 15-18 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/08/12 surface photovoltaic spectroscopy  SI-GaAs  nondetructive technique  UNDOPED SEMIINSULATING GAAS