机构

• 金属研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2015 [1]
• 2009 [1]
• 1999 [1]
• 1998 [2]

学科主题

• Physics [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Suppression of the emittance growth induced by coherent synchrotron radiation in triple-bend achromats 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS C, 2015, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 57001 作者:  Huang XY(黄玺洋);  Jiao Y(焦毅);  Xu G(徐刚);  Cui XH(崔小昊);  Huang, XY 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2016/04/18 coherent synchrotron radiation  emittance growth  achromat   Size-effect on stress behavior of the AlN/TiN film 期刊论文  OAI收割 Acta Materialia, 2009, 卷号: 57, 期号: 8, 页码: 2576-2582 D. Chen; Y. M. Wang; X. L. Ma 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/04/13 Superlattice  Stress  Transformation  Simulation  chemical potential concepts  highly strained ingaas  atomistic  simulations  molecular-dynamics  aluminum nitride  coherent growth  aln  phase  cubic aln  superlattices  stabilization   Finite element analysis of stresses associated with transformations in magnesia partially stabilized zirconia 期刊论文  OAI收割 Materials Science and Engineering a-Structural Materials Properties Microstructure and Processing, 1999, 卷号: 272, 期号: 2, 页码: 398-409 C. R. Chen; S. X. Li; Q. Zhang 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2012/04/14 finite element analysis  transformations  magnesia partially stabilized  zirconia  coherent ti11ni14 precipitate  computer-simulation  martensitic-transformation  tetragonal zirconia  microstructural  development  elastic-constants  zro2  ceramics  growth  alloys   Effects of annealing on self-organized InAs quantum islands on GaAs (100) 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 24, 页码: 3518-3520 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  COHERENT ISLANDS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS   Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文  OAI收割 5th international conference on solid-state and integrated circuit technology, beijing, peoples r china, oct 21-23, 1998 Mo QW; Fan TW; Gong Q; Wu J; Wang ZG; Bai YQ; Zhang W 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/10/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  COHERENT ISLANDS  GAAS  GROWTH  DOTS  DISLOCATIONS  TEMPERATURE  MECHANISMS  SI(001)  INGAAS