机构

• 半导体研究所 [3]
• 上海微系统与信息技术... [1]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2012 [1]
• 2007 [2]
• 2005 [1]

学科主题

• Optics [1]
• 光电子学 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Properties of lattice matched quaternary InAlGaAs on InP substrate grown by gas source MBE 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2012, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 385-+ Wang, K; Gu, Y; Fang, X; Zhou, L; Li, C; Li, HSBY; Zhang, YG 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/04/17 compound semiconductor  molecular beam epitaxy  InAlGaAs  X-ray diffraction  photoluminescence   A study on the minority carrier diffusion length in n-type gan films 期刊论文  iSwitch采集 Rare metals, 2007, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 271-275 作者:  Deng Dongmei;  Zhao Degang;  Wang Jinyan;  Yang Hui;  Wen Cheng Paul 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 Compound semiconductor material  Minority carrier diffusion length  Photovoltaic spectrum  Gan   A study on the minority carrier diffusion length in n-type GaN films 期刊论文  OAI收割 rare metals, 2007, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 271-275 Deng DM (Deng Dongmei); Zhao DG (Zhao Degang); Wang JY (Wang Jinyan); Yang H (Yang Hui); Wen CP (Wen Cheng Paul) 收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2010/03/29 compound semiconductor material   Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects 会议论文  OAI收割 17th international conference on indium phosphide and related materials, glasgow, scotland, may 08-12, 2005 Zhao, YW; Dong, ZY 收藏  |  浏览/下载：235/68  |  提交时间：2010/03/29 ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP  SEMICONDUCTOR COMPOUND-CRYSTALS  STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY  CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY  DEEP-LEVEL DEFECTS  ANNEALING AMBIENT  POINT-DEFECTS  FE  PHOSPHIDE  DONORS