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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Instability in centrifugally stable shear flows 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF FLUID MECHANICS, 2025, 卷号: 1006, 页码: 27 作者:  Deguchi, Kengo;  Dong, Ming   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2025/04/07 high-speed flow  Taylor-Couette flow  critical layers   Oscillatory flow at the onset of convection in two-layer Bénard-Marangoni system 会议论文  OAI收割 60th International Astronautical Congress 2009, IAC 2009, Daejeon, Korea, Republic of, October 12, 2009 - October 16, 2009 作者:  Kang Q(康琦);  Li LJ(李陆军);  Duan L(段俐);  Hu WR(胡文瑞) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/07/14 Critical temperature difference  Depth ratio  Marangoni  Marangoni convection  Onset of convection  Oscillatory flows  Particle image velocimetries  Structure change  Time-dependent  Two layer fluid  Two layers  Velocity field   Strain accommodation of 3C-SiC grown on hydrogen-implanted Si (001) substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/08/12 substrate  heteroepitaxy  low pressure chemical vapor deposition  semiconducting silicon carbide  COMPLIANT SUBSTRATE  CRITICAL THICKNESS  SILICON  RELAXATION  MECHANISM  DEFECTS  LAYERS   Strain relaxation of InP film directly grown on GaAs patterned compliant substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 71-76 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  strain  molecular beam epitaxy  organometallic vapor phase epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  HETEROEPITAXIAL GROWTH  LAYERS  OXIDATION  EPITAXY   Deposition of high-temperature superconducting films on biaxially textured Ni(001) substrates 期刊论文  OAI收割 PHYSICA C, 2000, 卷号: 337, 期号: 1-4, 页码: 87 Wang, RP; Zhou, YL; Pan, SH; He, M; Lu, HB; Chen, ZH; Yang, GZ; Liu, CF; Wu, X; Wang, FY; Feng, Y; Zhang, PX; Wu, XZ; Zhou, L 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2013/09/17 BEAM-ASSISTED DEPOSITION  CRITICAL-CURRENT DENSITY  O THIN-FILMS  LASER DEPOSITION  BUFFER LAYERS  ALLOYS  TAPES   Growth of biaxially textured yttria-stabilized zirconia thin films on Si(111) substrate by ion beam assisted deposition 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 221-223 Mu,HC; Ren,CX; Jiang,BY; Ding,XZ; Yu,YH; Wang,X; Liu,XH; Zhou,GE; Jia,YB 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/03/24 BA-CU-O  HIGH CRITICAL CURRENTS  BUFFER LAYERS  SUPERCONDUCTING FILMS  SILICON  YBA2CU3O7-DELTA  BOMBARDMENT  SI  ORIENTATION  DIOXIDE   In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文  OAI收割 conference on optical and infrared thin films, san diego, ca, 36739 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/10/29 Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition  SiGe  Refractive High Energy Electron Diffraction  tansmission electron microscopy  Double Crystal X-Ray Diffraction  MOBILITY 2-DIMENSIONAL ELECTRON  CRITICAL THICKNESS  STRAINED LAYERS  GE  RELAXATION  EPILAYERS  SI1-XGEX  GESI/SI  GASES   An analytical treatment of critical temperature of (d+1)-dimensional Ising layers 期刊论文  OAI收割 PHYSICS LETTERS A, 1996, 卷号: 221, 期号: 1-2, 页码: #REF! 作者:  Song, YX;  Chen, Y;  Luo, JL;  Xian, DC;  Xian DC(冼鼎昌) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2016/04/12 cumulant expression  order parameter  critical point  Ising layers