机构

• 上海微系统与信息技术... [7]
• 物理研究所 [5]
• 金属研究所 [3]
• 计算技术研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [17]

内容类型

• 期刊论文 [17]

发表日期

• 2020 [1]
• 2019 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [2]
• 更多

学科主题

• Materials ... [3]
• Materials ... [2]
• Materials ... [1]
• Physics, A... [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The Impact of Ferroelectric FETs on Digital and Analog Circuits and Architectures 期刊论文  OAI收割 IEEE DESIGN & TEST, 2020, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 79-99 作者:  Chen, Xiaoming;  Sun, Xiaoyu;  Wang, Panni;  Datta, Suman;  Hu, Xiaobo Sharon   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/12/10 Iron  Transistors  Computer architecture  Switches  Capacitance  Logic gates  Computational modeling  Ferroelectric Field Effect Transistor  FeFET  Negative Capacitance Field Effect Transistor  NCFET  Preisach model  FPGAs  content addressable memories  CAM  TCAM  compute-in-memory  analog synapse   Reliable Nonvolatile Memory Black Phosphorus Ferroelectric Field-Effect Transistors with van der Waals Buffer 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2019, 卷号: 11, 期号: 45, 页码: 42358-42364 作者:  Yan, Shili;  Huang, Hai;  Xie, Zhijian;  Ye, Guojun;  Li, Xiao-Xi   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/02/02 black phosphorus  P(VDF-TrFE)  nonvolatile ferroelectric memories  field-effect transistors (FETs)  anti-hysteresis   Identification of interfacial and bulk effects in modulating fatigue behaviors of Pb(Zr0.52Ti0.48)O-3 thin films 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2007, 卷号: 101, 期号: 1 Y. Wang; F. Yuan; T. Wei; C. Zhu; K. F. Wang; Y. D. Xia; J. M. Liu 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/04/13 ferroelectric capacitors  polarization fatigue  srbi2ta2o9  electrodes  charge  scenarios  memories  model  layer   Fatigue behaviors of Bi3.25La0.75Ti3O12/Pb(Zr0.52Ti0.48)O-3/Bi3.25La0.75Ti3O12 trilayered thin films 期刊论文  OAI收割 Integrated Ferroelectrics, 2006, 卷号: 85, 页码: 111-118 Y. Wang; C. Zhu; K. F. Wang; J. S. Zhu; J. M. Liu 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/04/14 ferroelectric  pb(zr  fatigue  ti)o-3  BLT  PZT  thin film  ferroelectric memories  low-temperature  srbi2ta2o9  capacitors  titanate  model   Experimental evidence of the "dead layer" at Pt/BaTiO3 interface 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 22 Li, XL; Chen, B; Jing, HY; Lu, HB; Zhao, BR; Mai, ZH; Jia, QJ 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/17 (BA  FERROELECTRIC MEMORIES  BARIUM-TITANATE  CHEMICAL-STATES  THICKNESS  SURFACE  PERMITTIVITY  PEROVSKITES  SR)TIO3 THIN-FILMS   Fabrication and characterization of metal/ferroelectric/semiconductor field effect transistor with the Ag/Bi4Ti3O12/p-Si(100) structure 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2004, 卷号: 43, 期号: 5A, 页码: 2435 Yu, J; Wang, H; Zhao, BR; Wang, YB; Guo, DY; Gao, JX; Zhou, WL; Xie, JF 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/09/17 FERROELECTRIC MEMORIES  THIN-FILMS   Morphology and mobility of 90 degrees domains in La-substituted bismuth titanate 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2004, 卷号: 16, 期号: 25, 页码: 4549 Su, D; Ding, Y; Zhu, JS; Yao, YY; Bao, P; Liu, JS; Wang, YN 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2013/09/18 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  BI4-XLAXTI3O12 THIN-FILMS  FERROELECTRIC DOMAINS  SRBI2TA2O9 CERAMICS  PLATINUM-ELECTRODES  SINGLE CRYSTALS  FATIGUE-FREE  BI4TI3O12  POLARIZATION  MEMORIES   Different domain structures and their effects on fatigue behavior in Bi3TiTaO9 and SrBi2Ta2O9 ceramics 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 93, 期号: 8, 页码: 4784 Su, D; Zhu, JS; Wang, YN; Xu, QY; Liu, JS 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/09/17 SUBSTITUTED BISMUTH TITANATE  FERROELECTRIC FATIGUE  PLATINUM-ELECTRODES  THIN-FILMS  MEMORIES   Dose rate dependence of electrical characteristics of lead zirconate titanate capacitors 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6491-6495 Zhang GQ; Sun P; Zou Q; Mei X; Ruda HE; Gu Q; Yu XF; Ren DY; Yan RL 收藏  |  浏览/下载：1284/12  |  提交时间：2010/08/12 ionizing radiation  dose rate  PZT  dielectric constant  coercive field  C-V curves  remanent polarization  FERROELECTRIC PZT CAPACITORS  IONIZING-RADIATION  BORDER TRAPS  TRANSISTORS  DEGRADATION  MECHANISMS  MEMORIES  VOLTAGE  DEVICES  RAY   gamma-ray irradiation effects of Au/PbTiO3/YBa2Cu3O7-delta capacitors under different bias voltage 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2000, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 345-349 Gao, JX; Zheng, LR; Song, ZT; Lin, CL; Zhu, DZ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 FERROELECTRIC PZT CAPACITORS  IONIZING-RADIATION  MEMORIES  FILMS